제품 개요
K4F6E3S4HM-THCLT2V는 삼성반도체에서 제조한 6Gb LPDDR4 DRAM으로, 높은 대역폭과 에너지 효율성을 위해 설계되었습니다. 단 1.1V에서 작동하며 최대 3733 Mbps의 속도를 지원하여 낮은 대기 시간과 낮은 전력 소비를 제공합니다. 컴팩트한 200볼 FBGA 패키지는 열적 안정성과 신호 무결성을 보장하여 스마트폰, 자동차 시스템, AI 터미널 및 산업용 임베디드 플랫폼에 이상적입니다.
주요 특징
응용 분야
기술 사양
| 매개변수 | 값 |
| 밀도 | 6Gb (768M × 8) |
| 데이터 비율 | 3733Mbps |
| VDDQ | 1.1V ± 0.06V |
| 채널 | 2 × 16비트 |
| 포장 | 200볼 FBGA |
| 치수 | 10 × 10 × 0.8mm |
| 온도 범위 | -40°C ~ +95°C |
| 기능 | CA 트레이닝, 자동 리프레시 |
| 인터페이스 | LPDDR4 |
| 전력 효율성 | 딥 슬립 / 셀프 리프레시 |
견적 요청
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