K4F6E3S4HM-THCLT2V

dRAM LPDDR4 berdaya rendah, performa tinggi 6Gb untuk aplikasi mobile, otomotif, dan tertanam.

Deskripsi Produk

Ikhtisar Produk

K4F6E3S4HM-THCLT2V adalah DRAM LPDDR4 6Gb dari Samsung Semiconductor, dirancang untuk bandwidth tinggi dan efisiensi energi. Beroperasi hanya pada 1,1V dan mendukung kecepatan hingga 3733 Mbps, menawarkan latensi rendah dan konsumsi daya rendah. Kemasan FBGA 200-bola yang ringkas memastikan stabilitas termal dan integritas sinyal, menjadikannya ideal untuk smartphone, sistem otomotif, terminal AI, dan platform tertanam industri.

Fitur Utama

Standar LPDDR4 sesuai JEDEC
Mendukung laju data hingga 3733 Mbps (LPDDR4-3733)
Beroperasi pada 1,1V ± 0,06V untuk konsumsi daya rendah
Arsitektur dual channel 16-bit untuk throughput lebih tinggi
Mendukung pelatihan CA dan kalibrasi waktu
Mode auto-refresh, deep power-down, dan hemat daya
Paket FBGA 200-ball kompak untuk keandalan sinyal yang kuat
Dirancang untuk aplikasi mobile, otomotif, dan industri tertanam

Aplikasi

Smartphone dan Tablet
Sistem hiburan dan klaster otomotif
Otomasi industri dan pengendali IoT
Perangkat komputasi AI dan kecerdasan tepi
Elektronik konsumen dan perangkat yang dapat dikenakan

Spesifikasi Teknis

Parameter	Nilai
Kepadatan	6 Gb (768M × 8)
Tingkat data	3733 Mbps
VDDQ	1,1 V ± 0,06 V
Saluran	2 × 16-bit
Paket	200-Ball FBGA
Dimensi	10 × 10 × 0,8 mm
Rentang suhu	-40°C ~ +95°C
Fungsi	Pelatihan CA, Penyegaran Otomatis
Antarmuka	LPDDR4
Efisiensi Energi	Tidur Mendalam / Penyegaran Diri

Permintaan penawaran harga

Untuk stok real-time, harga, dan informasi pengiriman K4F6E3S4HM-THCLT2V, harap sertakan Jumlah (Qty), Waktu Persiapan yang Dibutuhkan, dan Harga Target dalam RFQ Anda. Tim kami akan segera memberikan penawaran terbaik serta dukungan untuk kitting BOM, pasokan spot, dan manajemen persediaan.