K4F6E3S4HM-THCLT2V

6Gb de DRAM LPDDR4 de alto desempenho e baixo consumo de energia para aplicações móveis, automotivas e embarcadas.

Descrição do Produto

Visão geral do produto

K4F6E3S4HM-THCLT2V é uma DRAM LPDDR4 de 6Gb da Samsung Semiconductor, projetada para alta largura de banda e eficiência energética. Operando a apenas 1,1 V e suportando velocidades de até 3733 Mbps, oferece baixa latência e baixo consumo de energia. Seu pacote FBGA compacto com 200 esferas garante estabilidade térmica e integridade do sinal, tornando-o ideal para smartphones, sistemas automotivos, terminais de IA e plataformas embarcadas industriais.

Principais Características

Padrão LPDDR4 compatível com JEDEC
Suporta taxa de dados de até 3733 Mbps (LPDDR4-3733)
Opera em 1,1 V ± 0,06 V para baixo consumo de energia
Arquitetura com dois canais de 16 bits para maior taxa de transferência
Suporta treinamento de CA e calibração de temporização
Modos de autoatualização, desligamento profundo e baixo consumo de energia
Pacote FBGA compacto de 200 bolas para alta confiabilidade de sinal
Projetado para aplicações móveis, automotivas e industriais embarcadas

Aplicações

Smartphones e Tablets
Sistemas de infotenimento e painéis automotivos
Automação industrial e controladores IoT
Dispositivos de computação AI e inteligência de borda
Eletrônicos de consumo e wearables

Especificações Técnicas

Parâmetro	Valor
Densidade	6 Gb (768M × 8)
Taxa de dados	3733 Mbps
VDDQ	1,1 V ± 0,06 V
Canais	2 × 16 bits
Pacote	fBGA de 200 bolas
Dimensão	10 × 10 × 0,8 mm
Faixa de temperatura	-40°C ~ +95°C
Funções	Treinamento CA, Autoatualização
Interface	LPDDR4
Eficiência energética	Modo de espera profunda / autoatualização

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