K4F6E3S4HM-THCLT2V

bộ nhớ DRAM LPDDR4 6Gb hiệu suất cao, tiêu thụ điện năng thấp dành cho thiết bị di động, ô tô và các ứng dụng nhúng.

Mô tả Sản phẩm

Tổng quan về Sản phẩm

K4F6E3S4HM-THCLT2V là chip nhớ DRAM LPDDR4 6Gb của Samsung Semiconductor, được thiết kế cho băng thông cao và hiệu quả năng lượng. Hoạt động ở mức chỉ 1.1V và hỗ trợ tốc độ lên đến 3733 Mbps, sản phẩm mang lại độ trễ thấp và tiêu thụ điện năng thấp. Vỏ bọc FBGA 200 chân nhỏ gọn đảm bảo ổn định nhiệt và độ toàn vẹn tín hiệu, làm cho nó lý tưởng cho điện thoại thông minh, hệ thống ô tô, thiết bị đầu cuối AI và các nền tảng nhúng công nghiệp.

Tính năng nổi bật

Tiêu chuẩn LPDDR4 tương thích JEDEC
Hỗ trợ tốc độ dữ liệu lên đến 3733 Mbps (LPDDR4-3733)
Hoạt động ở mức 1.1V ± 0.06V để giảm tiêu thụ điện năng
Kiến trúc kênh kép 16-bit nhằm tăng thông lượng
Hỗ trợ hiệu chỉnh lệnh điều khiển (CA training) và hiệu chỉnh thời gian
Chế độ làm mới tự động, tắt nguồn sâu và chế độ tiết kiệm điện
Gói FBGA nhỏ gọn 200 bóng để đảm bảo độ tin cậy tín hiệu cao
Thiết kế dành cho các ứng dụng di động, ô tô và công nghiệp nhúng

Ứng dụng

Điện thoại thông minh và máy tính bảng
Hệ thống giải trí và cụm đồng hồ trên xe hơi
Tự động hóa công nghiệp và bộ điều khiển Internet vạn vật (IoT)
Thiết bị tính toán AI và trí tuệ biên
Thiết bị điện tử tiêu dùng và thiết bị đeo

Thông số kỹ thuật

Thông số kỹ thuật	Giá trị
Mật độ	6 Gb (768M × 8)
Tỷ lệ dữ liệu	3733 Mbps
VDDQ	1.1V ± 0.06V
Kênh	2 × 16-bit
Bao bì	200-Ball FBGA
Kích thước	10 × 10 × 0,8 mm
Phạm vi nhiệt độ	-40°C ~ +95°C
Chức năng	Đào tạo CA, Làm mới Tự động
Giao diện	LPDDR4
Hiệu quả năng lượng	Ngủ sâu / Làm mới Tự động

Yêu cầu báo giá

Để có thông tin tồn kho, giá cả và giao hàng thực tế của K4F6E3S4HM-THCLT2V, vui lòng cung cấp Số lượng (Qty), Thời gian giao hàng yêu cầu và Giá mục tiêu trong RFQ của bạn. Đội ngũ chúng tôi sẽ nhanh chóng cung cấp báo giá tốt nhất cùng hỗ trợ cho việc đóng gói BOM, cung ứng theo nhu cầu và quản lý tồn kho.