K4F6E3S4HM-THCLT2V

حافظه DRAM LPDDR4 با عملکرد بالا و مصرف انرژی پایین 6 گیگابایتی برای کاربردهای تلفن همراه، خودرو و سیستم‌های تعبیه‌شده.

توضیحات محصول

خلاصه ی محصول

K4F6E3S4HM-THCLT2V یک حافظه DRAM 6 گیگابیتی LPDDR4 از شرکت سامسونگ سمی‌کانداکتور است که برای پهنای باند بالا و بهره‌وری انرژی طراحی شده است. این تراشه با ولتاژ تنها 1.1 ولت و پشتیبانی از سرعت‌های تا 3733 مگابیت در ثانیه، دارای تأخیر کم و مصرف انرژی پایین است. بسته بندی فشرده آن با 200 گلوله (FBGA) از پایداری حرارتی و یکپارچگی سیگنال پشتیبانی می‌کند و آن را به گزینه‌ای ایده‌آل برای گوشی‌های هوشمند، سیستم‌های خودرویی، ترمینال‌های هوش مصنوعی و پلتفرم‌های تعبیه‌شده صنعتی تبدیل می‌کند.

ویژگی‌های کلیدی

استاندارد LPDDR4 سازگار با JEDEC
پشتیبانی از نرخ داده تا 3733 مگابیت در ثانیه (LPDDR4-3733)
عملکرد در ولتاژ 1.1 ولت ± 0.06 ولت برای مصرف انرژی کم
معماری دو کاناله 16 بیتی برای افزایش توان عملیاتی
پشتیبانی از آموزش خط فرمان (CA training) و کالیبراسیون زمان‌بندی
حالت‌های تجدید خودکار، خاموشی کامل با مصرف بسیار پایین و حالت‌های کم‌مصرف
بسته‌بندی FBGA کوچک 200 توپی برای قابلیت اطمینان بالا در سیگنال
طراحی‌شده برای کاربردهای موبایل، خودرویی و صنعتی تعبیه‌شده

کاربردها

تلفن های هوشمند و تبلت
سیستم‌های سرگرمی و نمایشگرهای خودرویی
اتوماسیون صنعتی و کنترل‌کننده‌های اینترنت اشیا
دستگاه‌های محاسبات هوش مصنوعی و هوش لبه‌ای
الکترونیک مصرفی و پوشیدنی‌ها

مشخصات فنی

پارامتر	ارزش
تراکم	6 گیگابایت (768M × 8)
نرخ داده	3733 مگابایت بر ثانیه
VDDQ	1.1 ولت ± 0.06 ولت
کانال‌ها	2 × 16 بیت
بسته	fBGA با 200 گلوله
ابعاد	10 × 10 × 0.8 میلی‌متر
محدوده دما	-40°C ~ +95°C
عملکرد	آموزش CA، تازه‌سازی خودکار
رابط	LPDDR4
کارایی قدرت	خواب عمیق / تازه‌سازی خودکار

درخواست قیمت‌گذاری

برای اطلاعات به‌روز درباره موجودی، قیمت‌گذاری و تحویل K4F6E3S4HM-THCLT2V، لطفاً مقدار مورد نیاز (Qty)، زمان تحویل مورد نیاز و قیمت هدف خود را در درخواست پیشنهاد قیمت (RFQ) خود ذکر کنید. تیم ما به سرعت بهترین پیشنهاد قیمت را ارائه خواهد داد و از شما در زمینه‌های تهیه BOM، تأمین فوری و مدیریت موجودی پشتیبانی خواهد کرد.