K4F6E3S4HM-THCLT2V

6 GB leistungsstarker, energiesparender LPDDR4-DRAM für mobile, automotive und eingebettete Anwendungen.

Produktbeschreibung

PRODUKTOVERSICHT

K4F6E3S4HM-THCLT2V ist ein 6-Gb-LPDDR4-DRAM von Samsung Semiconductor, entwickelt für hohe Bandbreite und Energieeffizienz. Mit einer Betriebsspannung von nur 1,1 V und Unterstützung von Geschwindigkeiten bis zu 3733 Mbps bietet er geringe Latenzzeiten und niedrigen Stromverbrauch. Sein kompaktes 200-Ball-FBGA-Gehäuse gewährleistet thermische Stabilität und Signalintegrität und macht ihn ideal für Smartphones, Automobil-Systeme, KI-Terminals und industrielle Embedded-Plattformen.

Hauptmerkmale

JEDEC-konformer LPDDR4-Standard
Unterstützt Datenraten bis zu 3733 Mbps (LPDDR4-3733)
Betrieb bei 1,1 V ± 0,06 V für geringen Stromverbrauch
Duale 16-Bit-Kanal-Architektur für höhere Durchsatzleistung
Unterstützt CA-Training und Zeitkalibrierung
Automatische Aktualisierung, Deep-Power-Down- und Energiesparmodi
Kompaktes 200-Ball-FBGA-Gehäuse für hohe Signalzuverlässigkeit
Entwickelt für mobile, automotive und eingebettete industrielle Anwendungen

Anwendungen

Smartphones und Tablets
Automotive-Infotainmentsysteme und Kombiinstrumente
Industrielle Automatisierung und IoT-Controller
Geräte für KI-Berechnung und Edge-Intelligenz
Unterhaltungselektronik und Wearables

Technische Spezifikationen

Parameter	Wert
Dichte	6 Gb (768M × 8)
Datenrate	3733 Mbps
VDDQ	1,1 V ± 0,06 V
Kanäle	2 × 16-Bit
Verpackung	200-Ball FBGA
Abmessung	10 × 10 × 0,8 mm
Temperaturbereich	-40 °C ~ +95 °C
Funktionen	CA-Training, Auto-Refresh
Schnittstelle	LPDDR4
Leistungsfähigkeit	Tiefschlaf / Selbstaktualisierung

Angebotsanfrage

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