K4F6E3S4HM-THCLT2V

dRAM LPDDR4 prestasi tinggi, kuasa rendah 6Gb untuk aplikasi mudah alih, automotif, dan terbenam.

Penerangan Produk

Gambaran Produk

K4F6E3S4HM-THCLT2V adalah cip DRAM LPDDR4 6Gb daripada Samsung Semiconductor, direka untuk jalur lebar tinggi dan kecekapan tenaga. Beroperasi pada hanya 1.1V dan menyokong kelajuan hingga 3733 Mbps, ia menawarkan latensi rendah dan penggunaan kuasa rendah. Pakej FBGA 200-bola yang padat memastikan kestabilan haba dan integriti isyarat, menjadikannya sesuai untuk telefon pintar, sistem automotif, terminal AI, dan platform terbenam perindustrian.

Ciri-ciri Utama

Piawaian LPDDR4 yang mematuhi JEDEC
Menyokong kadar data sehingga 3733 Mbps (LPDDR4-3733)
Beroperasi pada 1.1V ± 0.06V untuk penggunaan kuasa rendah
Seni bina saluran dual 16-bit untuk peningkatan kadar hantaran
Menyokong latihan CA dan kalibrasi masa
Auto-refresh, mod kuasa rendah, dan mod pematian kuasa dalam
Pakej FBGA 200-ball padat untuk kebolehpercayaan isyarat yang kuat
Direka untuk aplikasi mudah alih, automotif, dan industri terbenam

Aplikasi

Telefon Pintar dan Tablet
Sistem hiburan dan kumpulan maklumat automotiv
Pengawal automasi industri dan IoT
Peranti pengkomputeran AI dan kecerdasan pinggir
Elektronik pengguna dan peralatan siar

Spesifikasi Teknikal

Parameter	Nilai
Ketumpatan	6 Gb (768M × 8)
Kadar data	3733 Mbps
VDDQ	1.1V ± 0.06V
Saluran	2 × 16-bit
Pakej	fBGA 200-Bola
Dimensi	10 × 10 × 0.8 mm
Julat Suhu	-40°C ~ +95°C
Fungsi	Latihan CA, Penyegaran Automatik
Antara Muka	LPDDR4
Kecekapan Tenaga	Tidur Dalam / Penyegaran Sendiri

Permintaan Sebutharga

Untuk stok sebenar, harga, dan maklumat penghantaran K4F6E3S4HM-THCLT2V, sila sertakan Kuantiti (Qty), Masa Penghantaran yang Diperlukan, dan Harga Sasaran dalam RFQ anda. Pasukan kami akan segera memberikan penawaran terbaik serta sokongan untuk penyusunan BOM, bekalan segera, dan pengurusan inventori.