မိုဘိုင်း၊ ကားများနှင့် အမှီအငှားအသုံးပြုမှုများအတွက် 6Gb အမြင့်စွမ်းဆောင်ရည်၊ စွမ်းအင်နည်းပါးသော LPDDR4 DRAM
ထုတ်ကုန်အကြောင်းအရာ
K4F6E3S4HM-THCLT2V သည် Samsung Semiconductor မှထုတ်လုပ်သော 6Gb LPDDR4 DRAM ဖြစ်ပြီး အမြင့်ဆုံး bandwidth နှင့် စွမ်းအင်ချွေတာမှုအတွက် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားပါသည်။ 1.1V တွင် လည်ပတ်ပြီး Mbps 3733 အထိ ပံ့ပိုးပေးနိုင်သောကြောင့် latency နိမ့်ပြီး စွမ်းအင်သုံးစွဲမှုနည်းပါးပါသည်။ ၎င်း၏ အရွယ်အစားသေးငယ်သော 200-ball FBGA package သည် အပူချိန်တည်ငြိမ်မှုနှင့် signal integrity ကို သေချာစေပြီး smartphones၊ automotive systems၊ AI terminals နှင့် industrial embedded platforms များအတွက် အကောင်းဆုံးဖြစ်စေပါသည်။
အဓိက လက္ခဏာများ
အသုံးပြုမှုများ
နည်းပညာဆိုင်ရာ သတ်မှတ်ချက်များ
| ပါရာမီတာ | တန်ဖိုး |
| သိပ်သည်းမှု | 6 Gb (768M × 8) |
| ဒေတာအဆောက်အလွှာ | 3733 Mbps |
| VDDQ | 1.1V ± 0.06V |
| ချောင်းများ | 2 × 16-ဘစ် |
| ထုပ်ပိုး | 200-Ball FBGA |
| အရွယ်အစား | 10 × 10 × 0.8 mm |
| အိမ်လှုပ်ရှားမှုအওင်းအကျင်း | -40°C ~ +95°C |
| လုပ်ဆောင်ချက်များ | CA လေ့ကျင့်ရေး၊ အလိုအလျောက် ပြန်လည်တင်ဆောင်ခြင်း |
| ကြားခံစနစ် | LPDDR4 |
| စွမ်းအင်ထိရောက်ခြင်း | နက်ရှိုင်းစွာ အိပ်စက်ခြင်း / ကိုယ်ပိုင် ပြန်လည်တင်ဆောင်ခြင်း |
အကြိုက်အချိန်တောင်းဆိုချက်
K4F6E3S4HM-THCLT2V ၏ လက်ရှိစတော့၊ စျေးနှုန်းနှင့် ပို့ဆောင်မှု အချက်အလက်များအတွက် သင့်တင်ပြမှုတွင် ပမာဏ (Qty)၊ လိုအပ်သော အချိန်ကာလနှင့် စျေးနှုန်းအချက်ပြမှုကို ထည့်သွင်းပေးပါ။ BOM ကစီစဉ်မှု၊ နေရာအလိုက် ပေးပို့မှုနှင့် စတော့စီမံခန့်ခွဲမှုအတွက် ကျွန်ုပ်တို့၏အဖွဲ့မှ အကောင်းဆုံး စျေးကုန်ကမ်းလှမ်းမှုနှင့် ပံ့ပိုးမှုကို အမြန်ဆုံးပေးပို့ပါမည်။