K4F6E3S4HM-THCLT2V | Samsung LPDDR4 6Gb Memory Chip | Mataas na Bilis, Mababang Konsumo ng Enerhiya na Memorya para sa Mobile at Sasakyan

Pangkalahatang-ideya ng Produkto

Ang K4F6E3S4HM-THCLT2V ay isang 6Gb LPDDR4 DRAM mula sa Samsung Semiconductor, dinisenyo para sa mataas na bandwidth at kahusayan sa enerhiya. Gumagana ito sa 1.1V lamang at sumusuporta sa bilis hanggang 3733 Mbps, na nag-aalok ng mababang latency at mababang pagkonsumo ng kuryente. Ang compact nitong 200-ball FBGA package ay nagagarantiya ng thermal stability at signal integrity, na angkop para sa mga smartphone, sistema ng sasakyan, terminal ng AI, at mga industrial embedded platform.

Mga Pangunahing katangian

• Sumusunod sa pamantayan ng JEDEC-compliant LPDDR4
• Sumusuporta sa data rate na hanggang 3733 Mbps (LPDDR4-3733)
• Gumagana sa 1.1V ± 0.06V para sa mababang pagkonsumo ng enerhiya
• Dobleng 16-bit channel architecture para sa mas mataas na throughput
• Sumusuporta sa CA training at timing calibration
• Auto-refresh, deep power-down, at mga low-power mode
• Compact na 200-ball FBGA package para sa matibay na signal reliability
• Idinisenyo para sa mobile, automotive, at embedded industrial na aplikasyon

Mga Aplikasyon

• Mga Smartphone at Tablet
• Mga automotive infotainment at cluster system
• Automatisasyon sa industriya at mga controller ng IoT
• Mga device para sa AI computing at edge intelligence
• Consumer electronics at wearables

Teknikal na Espekifikasiyon

Kahilingan ng Quotation

Para sa real-time na stock, presyo, at impormasyon tungkol sa paghahatid ng K4F6E3S4HM-THCLT2V, mangyaring isama ang iyong Dami (Qty), Kinakailangang Lead Time, at Target na Presyo sa iyong RFQ. Agad naming ipapadala ang pinakamahusay na quotation at suporta para sa BOM kitting, spot supply, at pamamahala ng inventory.