K4F6E3S4HM-THCLT2V

6 GB hoogpresterend, stroombesparend LPDDR4 DRAM voor mobiele, automotive en ingebedde toepassingen.

Productomschrijving

Productoverzicht

K4F6E3S4HM-THCLT2V is een 6 Gb LPDDR4 DRAM van Samsung Semiconductor, ontworpen voor hoge bandbreedte en energie-efficiëntie. Met een bedrijfsspanning van slechts 1,1 V en ondersteuning van snelheden tot 3733 Mbps, biedt het lage latentie en laag stroomverbruik. Het compacte 200-knobbels FBGA-formaat zorgt voor thermische stabiliteit en signalintegriteit, waardoor het ideaal is voor smartphones, autotechnische systemen, AI-terminals en industriële ingebedde platformen.

Belangrijkste Kenmerken

In overeenstemming met de JEDEC LPDDR4-standaard
Ondersteunt tot 3733 Mbps datatarief (LPDDR4-3733)
Functioneert bij 1,1 V ± 0,06 V voor laag stroomverbruik
Dubbele 16-bits kanaalarchitectuur voor hogere doorvoer
Ondersteunt CA-training en tijdsbepalingcalibratie
Automatisch vernieuwen, diepe stroombesparingsmodus en andere laagvermogenmodi
Compacte 200-ball FBGA-behuizing voor sterke signaalsbetrouwbaarheid
Ontworpen voor mobiele, automotive en embedded industriële toepassingen

Toepassingen

Smartphones en tablets
Automotive-informatie- en bedieningssystemen en clustersystemen
Industriële automatisering en IoT-controllers
AI-computers en edge-intelligentieapparaten
Consumentenelektronica en draagbare devices

Technische specificaties

Parameter	Waarde
Dichtheid	6 Gb (768M × 8)
Gegevenspercentage	3733 Mbps
VDDQ	1,1 V ± 0,06 V
Kanalen	2 × 16-bit
Verpakking	200-Ball FBGA
Afmeting	10 × 10 × 0,8 mm
Temperatuurbereik	-40°C ~ +95°C
Functies	CA-training, automatische vernieuwing
Interface	LPDDR4
Energie-efficiëntie	Diepe slaap / Zelfvernieuwing

Offerteaanvraag

Voor actuele voorraadinformatie, prijzen en levering van K4F6E3S4HM-THCLT2V, gelieve uw Aantal (Qty), Gewenste Levertijd en Doelprijs op te nemen in uw RFQ. Ons team zal snelst mogelijke een optimale offerte verstrekken, inclusief ondersteuning voor BOM-kitting, spotlevering en voorraadbeheer.