6 Гбіт високопродуктивної енергоефективної LPDDR4 DRAM для мобільних, автомобільних та вбудованих застосувань.
Огляд продукту
K4F6E3S4HM-THCLT2V — це 6 Гб LPDDR4 DRAM від Samsung Semiconductor, розроблена для високих швидкостей передачі даних та енергоефективності. З працює на напрузі всього 1,1 В і підтримує швидкості до 3733 Мбіт/с, забезпечуючи низьку затримку та низьке енергоспоживання. Компактний корпус FBGA з 200 контактами забезпечує термальну стабільність та цілісність сигналу, що робить його ідеальним для смартфонів, автомобільних систем, терміналів штучного інтелекту та промислових вбудованих платформ.
Основні особливості
Застосування
Технічні специфікації
| Параметр | Значення |
| Щільність | 6 Гб (768M × 8) |
| Швидкість передачі даних | 3733 Мбіт/с |
| VDDQ | 1,1 В ± 0,06 В |
| Канали | 2 × 16-біт |
| Пакування | fBGA, 200 контактів |
| Розмір | 10 × 10 × 0,8 мм |
| Температурний діапазон | -40°C ~ +95°C |
| Функції | Навчання CA, автоматичне оновлення |
| Інтерфейс | LPDDR4 |
| Ефективність потужності | Глибокий сон / Самооновлення |
Запит на ціну
Для отримання актуальних даних про наявність на складі, ціни та терміни доставки K4F6E3S4HM-THCLT2V, будь ласка, вкажіть у запиті кількість (Qty), необхідний час поставки та цільову ціну. Наша команда оперативно надасть найкращу пропозицію та підтримку щодо комплектації BOM, разових поставок та управління запасами.