K4F6E3S4HM-THCLT2V | Чип памяти Samsung LPDDR4 6 Гбит | Высокая скорость, низкое энергопотребление, мобильная и автомобильная память

Обзор продукта

K4F6E3S4HM-THCLT2V — это 6 Гбит LPDDR4 DRAM от Samsung Semiconductor, разработанная для высокой пропускной способности и энергоэффективности. Работает при напряжении всего 1,1 В и поддерживает скорости до 3733 Мбит/с, обеспечивая низкую задержку и малое энергопотребление. Компактный корпус FBGA с 200 шариками гарантирует тепловую стабильность и целостность сигнала, что делает его идеальным решением для смартфонов, автомобильных систем, терминалов ИИ и промышленных встраиваемых платформ.

Ключевые особенности

• Соответствие стандарту JEDEC LPDDR4
• Поддержка скорости передачи данных до 3733 Мбит/с (LPDDR4-3733)
• Работает при напряжении 1,1 В ± 0,06 В для низкого энергопотребления
• Двухканальная архитектура по 16 бит для увеличения пропускной способности
• Поддержка обучения командным адресам (CA training) и калибровки временных параметров
• Автоматическое обновление, режим глубокого энергосбережения и другие режимы с низким энергопотреблением
• Компактный корпус FBGA на 200 шариков для надежной передачи сигнала
• Разработан для мобильных, автомобильных и встраиваемых промышленных приложений

Применения

• Смартфоны и планшеты
• Автомобильные системы мультимедиа и приборных панелей
• Промышленная автоматизация и контроллеры Интернета вещей
• Устройства искусственного интеллекта и вычислительные устройства с возможностями обработки на краю сети
• Потребительская электроника и носимые устройства

Технические характеристики

Запрос котировки

Для получения актуальной информации о наличии на складе, ценах и сроках доставки K4F6E3S4HM-THCLT2V, пожалуйста, укажите в запросе количество (Qty), требуемое время поставки и целевую цену. Наша команда оперативно предоставит лучшее коммерческое предложение, а также поддержку по комплектации BOM, разовой поставке и управлению запасами.