K4F6E3S4HM-THCLT2V

6 GB de DRAM LPDDR4 de bajo consumo y alto rendimiento para aplicaciones móviles, automotrices y embebidas.

Descripción del Producto

Descripción del producto

K4F6E3S4HM-THCLT2V es una DRAM LPDDR4 de 6 Gb de Samsung Semiconductor, diseñada para ofrecer alto ancho de banda y eficiencia energética. Funciona a solo 1.1V y admite velocidades de hasta 3733 Mbps, ofreciendo baja latencia y bajo consumo de energía. Su paquete compacto FBGA de 200 bolas garantiza estabilidad térmica e integridad de señal, lo que la hace ideal para smartphones, sistemas automotrices, terminales de IA y plataformas embebidas industriales.

Las características clave

Estándar LPDDR4 conforme a JEDEC
Admite una tasa de datos de hasta 3733 Mbps (LPDDR4-3733)
Funciona a 1.1V ± 0.06V para un bajo consumo de energía
Arquitectura de canal dual de 16 bits para un mayor rendimiento
Admite entrenamiento de CA y calibración de temporización
Modos de autoactualización, apagado profundo y bajo consumo
Paquete FBGA compacto de 200 bolas para una alta fiabilidad de señal
Diseñado para aplicaciones móviles, automotrices y dispositivos industriales embebidos

Aplicaciones

Teléfonos inteligentes y tabletas
Sistemas de infotenimiento y cuadros de instrumentos automotrices
Automatización industrial y controladores IoT
Dispositivos de computación artificial e inteligencia perimetral
Electrónica de consumo y dispositivos portátiles

Especificaciones técnicas

Parámetro	Valor
Densidad	6 Gb (768M × 8)
Tasa de datos	3733 Mbps
VDDQ	1.1V ± 0.06V
Canales	2 × 16 bits
Paquete	fBGA de 200 bolas
Dimensión	10 × 10 × 0,8 mm
Rango de temperatura	-40°C ~ +95°C
Funciones	Capacitación CA, actualización automática
Interfaz	LPDDR4
Eficiencia energética	Sueño profundo / Autoactualización

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