6 GB pamięci DRAM LPDDR4 o wysokiej wydajności i niskim poborze mocy dla urządzeń mobilnych, motoryzacyjnych i zastosowań wbudowanych.
Przegląd produktu
K4F6E3S4HM-THCLT2V to pamięć DRAM LPDDR4 6Gb firmy Samsung Semiconductor, zaprojektowana pod kątem wysokiej przepustowości i efektywności energetycznej. Działa przy napięciu zaledwie 1,1 V i obsługuje prędkości do 3733 Mbps, oferując niską latencję i niskie zużycie energii. Kompaktowy układ w obudowie 200-ball FBGA zapewnia stabilność termiczną i integralność sygnału, co czyni go idealnym rozwiązaniem dla smartfonów, systemów samochodowych, terminali AI oraz przemysłowych platform wbudowanych.
Kluczowe cechy
Zastosowania
Specyfikacje techniczne
| Parametr | Wartość |
| Gęstość | 6 GB (768M × 8) |
| Wskaźnik danych | 3733 Mbps |
| VDDQ | 1,1 V ± 0,06 V |
| Kanały | 2 × 16-bit |
| Opakowanie | obudowa FBGA 200-pinowa |
| Wymiary | 10 × 10 × 0,8 mm |
| Zakres temperatur | -40°C ~ +95°C |
| Funkcje | Szkolenie CA, automatyczne odświeżanie |
| Interfejs | LPDDR4 |
| Wydajność energetyczna | Głęboki Sen / Odświeżanie Własne |
Prośba o wycenę
Aby uzyskać aktualne informacje o stanie magazynowym, cenach i terminach dostawy produktu K4F6E3S4HM-THCLT2V, prosimy o podanie ilości (Qty), wymaganego czasu realizacji oraz docelowej ceny w zapytaniu ofertowym. Nasz zespół niezwłocznie przedstawi najlepszą ofertę oraz wsparcie w zakresie kompletowania listy materiałowej (BOM), dostaw jednostkowych i zarządzania zapasami.