K4F6E3S4HM-THCLT2V

6 Gb-os nagyteljesítményű, alacsony fogyasztású LPDDR4 DRAM mobil, autóipari és beágyazott alkalmazásokhoz.

Termékleírás

Termék áttekintése

A K4F6E3S4HM-THCLT2V egy 6 Gb-os LPDDR4 DRAM, amelyet a Samsung Semiconductor fejlesztett ki nagy sávszélességű és energiahatékony működésre. Mindössze 1,1 V-on üzemel, és akár 3733 Mbps sebességet is támogat, alacsony késleltetést és alacsony energiafogyasztást biztosítva. Kompakt, 200 lábú FBGA tokozása garantálja a hőstabilitást és a jelintegritást, így ideális választás okostelefonokhoz, autóipari rendszerekhez, AI terminálokhoz és ipari beágyazott platformokhoz.

Főbb jellemzők

JEDEC-szabvány szerinti LPDDR4 szabvány
Akár 3733 Mbps adatátviteli sebesség támogatása (LPDDR4-3733)
1,1 V ± 0,06 V-on üzemel alacsony energiafogyasztás érdekében
Dupla 16 bites csatorna architektúra nagyobb átviteli sebességért
CA-kiképzés és időzítési kalibráció támogatása
Automatikus frissítés, mély kikapcsolási és alacsonyenergiás üzemmódok
Kompakt 200-lábas FBGA csomag erős jel megbízhatóságért
Mobil, gépjárműipari és beágyazott ipari alkalmazásokhoz tervezve

Alkalmazások

Okostelefonok és Táblagépek
Gépjárművek infotainment és fürtrendszerei
Ipari automatizálás és IoT vezérlők
AI számítástechnikai és edge intelligencia eszközök
Fogyasztási cikkek és hordható eszközök

Műszaki specifikációk

Paraméter	Érték
Sűrűség	6 Gb (768M × 8)
Adatátviteli sebesség	3733 Mbps
VDDQ	1,1 V ± 0,06 V
Csatornák	2 × 16 bites
Csomagolás	200-lábas FBGA
Méret	10 × 10 × 0,8 mm
Hőmérséklet tartomány	-40 °C ~ +95 °C
Funkciók	CA képzés, automatikus frissítés
Felület	LPDDR4
Energiatagalmasság	Mély alvás / Önarosztás

Ajánlatkérés

A K4F6E3S4HM-THCLT2V valós idejű készletének, árának és szállítási információinak megismerése érdekében kérjük, adja meg az Igényelt mennyiséget (Qty), Szükséges átfutási időt és Célárát az ajánlatkérésében. Csapatunk gyorsan a legjobb árajánlatot nyújtja, valamint támogatást biztosít a BOM-komponensek összeállításában, azonnali beszerzésben és készletgazdálkodásban.