Модули IGBT высокой мощности | Решения для преобразования энергии и инверторов EV | Полупроводниковые приборы силовой электроники

Все категории

Транзисторы IGBT

Главная страница >  Продукты >  Полупроводники Питания >  IGBT-транзисторы

Модуль IGBT

Модули IGBT с высокой плотностью мощности — разработаны с использованием передовых технологий траншейных затворов и мягкого переключения, модули IGBT обеспечивают низкие потери на проводимость, превосходное тепловое управление и выдающуюся надежность. Охватывая классы напряжения 650 В – 1200 В и несколько промышленных типов корпусов, они идеально подходят для промышленных инверторов, ИБП и систем хранения энергии, тяговых приводов электромобилей, фотovoltaических и ветровых инверторов, станций быстрой зарядки и применений в умных сетях.

Обзор продукта

Серия модулей IGBT от Jaron обеспечивает выдающиеся электрические характеристики в широком диапазоне напряжений (650 В–1200 В) и с различными вариантами корпусов (C1, E1, E2, P2, P3, E3, E1A, E2A и др.), поддерживая разнообразные применения — от промышленных приводов и инверторов до ИБП и силовых систем EV. Эти модули отличаются низким напряжением насыщения (V CE (США) _типичное значение 1,45–2,1 В), excellent switching behavior (Eon+Eoff до 2,8 мДж) и превосходным тепловым управлением благодаря минимальному сопротивлению переход-корпус (R th ((j-c) до 0,043 ℃/Вт). Предназначены для длительного срока службы и высокой плотности мощности, обеспечивают надежное и эффективное преобразование энергии в тяжелых условиях эксплуатации при высоких температурах. Все устройства соответствуют требованиям RoHS.

   

Применение

  • Промышленные инверторы и системы сервоприводов
  • Источники бесперебойного питания и резервного электропитания
  • Системы привода и инверторы электромобилей
  • Сварочные аппараты, индукционные нагреватели и системы управления двигателями
  • Сетевые инверторы для возобновляемой энергетики (ветровая и солнечная)
  • Инфраструктура преобразования энергии и зарядки

   

Название продукта Упаковка VCES _Min(В) IC @ TC=100℃(А) VCE(sat) _Тип.(В) Eon+Eoff тип. Tj=150℃ (мДж) Rth(j-c) _Max(℃/Вт)
MG100HF065TLC1 C1 650 100 1.45 8.4 0.36
MG100HF12LEC1 C1 1200 100 3.1 31.1 0.13
MG100HF12TFC1 C1 1200 100 2 9.5 0.18
MG100HF12TLC1 C1 1200 100 1.9 21 0.19
MG100P12E2 E2 1200 100 1.85 22.6 0.27
MG100P12MLE2 E2 1200 100 1.6 22.1 0.37
MG100UZ12TLGJ GJ 1200 100 1.85 12.9 0.28
MG10P12E1 E1 1200 10 1.85 2.3 1.25
MG10P12P2 P2 1200 10 1.85 1.53 1.43
MG10P12P3 П3 1200 10 1.85 1.53 1.40
MG150HF065TLC1 C1 650 150 1.55 6.74 0.32
MG150HF12TFC2 C2 1200 150 2.2 32.5 0.19
MG150HF12TLC1 C1 1200 150 1.9 29.5 0.155
MG150HF12TLC2 C2 1200 150 1.9 35.2 0.18
MG150P12E2 E2 1200 150 1.9 34.9 0.19
MG150P12MLE2 E2 1200 150 1.67 31.2 0.28
MG15P12E1 E1 1200 15 1.85 2.98 1.15
MG15P12MLP2 P2 1200 15 1.6 2.34 1.37
MG15P12P2 P2 1200 15 1.85 2.58 1.05
MG15P12P3 П3 1200 15 1.85 2.58 1.05
MG200HF12LEC2 C2 1200 200 3.1 51.8 0.073
MG200HF12TFC2 C2 1200 200 2.2 46.5 0.12
MG200HF12TLC2 C2 1200 200 1.9 50.5 0.12
MG200TF12MLE2A E2A 1200 200 1.7 49.3 0.23
MG225HF12TLE3 E3 1200 225 1.9 48.5 0.12
MG25P12E1 E1 1200 25 1.85 4.58 0.90
MG25P12E1A E1A 1200 25 1.85 4.58 0.90
MG25P12MLE1 E1 1200 25 1.6 4.9 0.97
MG25P12MLP3 П3 1200 25 1.6 4.64 1.1
MG25P12P3 П3 1200 25 1.85 4.56 0.68
MG300HF065TLC2 C2 650 300 1.76 14.58 0.18
MG300HF12LEC2 C2 1200 300 3.3 45 0.09
MG300HF12TFC2D C2 1200 300 2.1 60.6 0.09
MG300HF12TLC2 C2 1200 300 1.9 75.1 0.09
MG300HF12TLE3 E3 1200 300 1.9 63.6 0.09
MG30P065MLP2 P2 650 30 1.7 1.32 1.34
MG35P12E1A E1A 1200 35 1.85 7.66 0.66
MG35P12MLE1A E1A 1200 35 1.7 6.2 0.95
MG35P12MLP3 П3 1200 35 1.65 6.3 0.93
MG35P12P3 П3 1200 35 1.85 6.27 0.43
MG400HF065TLC2 C2 650 400 1.7 30 0.12
MG40P12E1 E1 1200 40 1.90 9.09 0.66
MG40P12MLE1 E1 1200 40 1.7 6.4 0.95
MG450HF12TLC2 C2 1200 450 1.9 104.3 0.065
MG450HF12TLE3 E3 1200 450 1.85 107.8 0.065
MG50HF12TFC1 C1 1200 50 2.1 10.6 0.52
MG50HF12TLC1 C1 1200 50 1.95 18.8 0.31
MG50P065MLP3 П3 650 50 1.65 2.61 1
MG50P12E1A E1A 1200 50 1.90 13.06 0.52
MG50P12E2 E2 1200 50 1.90 13.06 0.52
MG50P12E2A E2A 1200 50 1.90 13.06 0.52
MG50P12MLE1A E1A 1200 50 1.7 11.9 0.59
MG50P12MLE2 E2 1200 50 1.7 11.9 0.55
MG50P12MLE2A E2A 1200 50 1.7 12.8 0.6
MG50P12MLP3 П3 1200 50 1.7 9.38 0.75
MG600HF065TLC2 C2 650 600 1.55 55 0.06
MG600HF12TLC2 C2 1200 600 1.95 195 0.043
MG600HF12TLE3 E3 1200 600 1.75 189.5 0.045
MG600TLU095MSN4 MG600TLL095MSN4 N4 950 600 1.9 46 0.18
MG75HF12LEC1 C1 1200 75 2.5 21 0.19
MG75HF12TFC1 C1 1200 75 2.1 13.9 0.26
MG75HF12TLC1 C1 1200 75 1.95 29.1 0.26
MG75P12E2 E2 1200 75 1.85 15.2 0.37
MG75P12E2A E2A 1200 75 1.85 15.2 0.339
MG75P12MLE1A E1A 1200 75 1.6 20.1 0.47
MG75P12MLE2 E2 1200 75 1.6 14.1 0.47
MG75P12MLE2A E2A 1200 75 1.6 14.1 0.47

Получите бесплатную котировку

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Электронная почта
Мобильный/WhatsApp
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000

СВЯЗАННЫЙ ПРОДУКТ