MT40A512M16LY-062E:E

SDRAM DDR4 ความหน่วงสูงสำหรับเซิร์ฟเวอร์ คอมพิวเตอร์อุตสาหกรรม และแพลตฟอร์มฝังตัว

คำอธิบายผลิตภัณฑ์

ภาพรวมผลิตภัณฑ์

MT40A512M16LY-062E:E เป็น DDR4 SDRAM ขนาด 8 กิกะบิต (512M × 16) จาก Micron รองรับการทำงานความเร็วสูงสุดถึง 3200MT/s (DDR4-3200) ผลิตด้วยเทคโนโลยี DDR4 ขั้นสูงของ Micron ให้แบนด์วิธสูง ประสิทธิภาพการใช้พลังงานที่ดีขึ้น และคุณสมบัติด้านเวลาที่มั่นคง ทำให้เหมาะสำหรับการใช้งานในศูนย์ข้อมูล อุปกรณ์เครือข่าย ระบบอุตสาหกรรม และการประมวลผลฝังตัวประสิทธิภาพสูง

ทำงานที่แรงดันมาตรฐานของ DDR4 ซึ่งอยู่ที่ 1.2V ช่วยลดการใช้พลังงานเมื่อเทียบกับ DDR3 ในขณะที่เพิ่มอัตราการผ่านข้อมูลและความน่าเชื่อถือระยะยาวสำหรับการใช้งานที่สำคัญ

ลักษณะสําคัญ

8 กิกะบิต (512M × 16) DDR4 SDRAM
อัตราข้อมูลสูงสุดถึง 3200MT/s
ทำงานที่ 1.2V แรงดันมาตรฐานของ DDR4
แบนด์วิธสูงกว่าและใช้พลังงานต่ำกว่า DDR3
สัญญาณที่มีความสมบูรณ์แข็งแกร่งและการทำงานที่มีความหน่วงต่ำอย่างมั่นคง
รองรับ ECC ขึ้นอยู่กับการใช้งานในระบบ
แพคเกจ FBGA ขนาดกะทัดรัด (ซีรีส์ LY) สำหรับการจัดวางแผงวงจรที่หนาแน่น
เหมาะสำหรับเซิร์ฟเวอร์ คอมพิวเตอร์อุตสาหกรรม อุปกรณ์เครือข่าย และอุปกรณ์ฝังตัว

ฟิลด์แอปพลิเคชัน

เซิร์ฟเวอร์ศูนย์ข้อมูลและการประมวลผลแบบคลาวด์
อุปกรณ์เครือข่าย (เราเตอร์ สวิตช์ ไฟร์วอลล์)
ระบบควบคุมอุตสาหกรรม (PLC, HMI, IPC)
อุปกรณ์คอมพิวเตอร์ขอบ AIoT
อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ทางการแพทย์และเครื่องมือวัด
ระบบฝังตัวที่มีประสิทธิภาพสูง
ตัวควบคุมหน่วยความจำ อุปกรณ์สถานีฐานโทรคมนาคม ระบบเฝ้าระวังอัจฉริยะ

ข้อมูลจำเพาะหลัก

รายการ	ข้อมูลจำเพาะ
ประเภทความจํา	DDR4 SDRAM
ความหนาแน่น	8GB
องค์กร	512M × 16
อัตราการข้อมูล	3200MT/s
โลตติจ์การทํางาน	1.2V
แพ็คเกจ	FBGA (LY)
ผู้ผลิต	ไมครอน
มาตรฐาน	JEDEC DDR4
เกรด	เกรดเชิงพาณิชย์ (รหัส E)

ขอใบเสนอราคา

เพื่อขอราคาสำหรับ MT40A512M16LY-062E:E รวมถึงความพร้อมในการจัดหา ระยะเวลาการจัดส่ง ปริมาณการสั่งซื้อขั้นต่ำ รายละเอียดล็อต แผ่นข้อมูลทางเทคนิค หรือทางเลือกที่แนะนำ กรุณาส่ง RFQ

รองรับการจัดหาแบบสปอต การจัดหาเพื่อแก้ปัญหาขาดแคลน ชุดประกอบ BOM และการดำเนินโครงการระยะยาว