MT40A512M16LY-062E:E | Micron 8Gb DDR4 SDRAM | 3200MT/s didelio greičio atmintis

Produkto apžvalga

MT40A512M16LY-062E:E yra 8 Gb (512M × 16) DDR4 SDRAM gamintojo Micron, palaikantis didelio greičio veikimą iki 3200MT/s (DDR4-3200). Sukurta naudojant pažangią Micron DDR4 technologiją, ji užtikrina didelį pralaidumą, geroves energijos suvartojimo efektyvumą ir stabilias laiko charakteristikas, todėl tinka duomenų centrams, tinklo įrangai, pramoninėms sistemoms ir aukštosios našumo įterptosioms skaičiavimo sistemoms.

Veikdama standartine DDR4 įtampa 1,2 V, ji suvartoja mažiau energijos lyginant su DDR3, tuo pat metu padidindama našumą ir ilgalaikę patikimumą kritinės svarbos programoms.

Pagrindinės savybės

• 8 Gb (512M × 16) DDR4 SDRAM
• Iki 3200MT/s duomenų perdavimo greitis
• Veikia 1,2 V įtampa, standartinė DDR4 įtampa
• Didesnis pralaidumas ir žemesnis energijos suvartojimas nei DDR3
• Stipri signalo vientisena ir stabilus žemo delsos veikimas
• ECC suderinamas priklausomai nuo sistemos realizacijos
• Kompaktiškas FBGA korpusas (LY serija) tankiems PCB išdėstymams
• Tinka serveriams, pramoniniams kompiuteriams, tinklams ir įterpties sistemoms

Pritaikymo sritys

• Duomenų centrų serveriai ir debesijos skaičiavimai
• Tinklo įranga (maršrutizatoriai, komutatoriai, ugniasienės)
• Pramoninės valdymo sistemos (PLC, HMI, IPC)
• AIoT kraštinių skaičiavimų įrenginiai
• Medicinos elektronika ir prietaisai
• Aukštos našumo įterptosios sistemos
• Saugyklos valdikliai, telekomunikacijų baziniai stotys, protingos stebėsenos sistemos

Pagrindinės specifikacijos

Kainos paklausimas

Kad gautumėte kainą MT40A512M16LY-062E:E – įskaitant prieinamumą, pristatymo laiką, mažiausią užsakymo kiekį, partijos duomenis, duomenų lapą ar rekomenduotinas alternatyvas – pateikite užklausą (RFQ).

Palaikomas vienvietis tiekimas, trūkstamų detalių paieška, BOM komplektavimas ir ilgalaikės projektų realizacija.