MT40A512M16LY-062E:E | Micron 8Gb DDR4 SDRAM | 3200MT/s High-Speed Geheugen

Productoverzicht

De MT40A512M16LY-062E:E is een 8 Gb (512M × 16) DDR4 SDRAM van Micron, die ondersteuning biedt voor hoge snelheid tot 3200MT/s (DDR4-3200). Gebaseerd op de geavanceerde DDR4-technologie van Micron, levert het hoge bandbreedte, verbeterde stroomefficiëntie en stabiele tijdskenmerken, waardoor het geschikt is voor datacenters, netwerkapparatuur, industriële systemen en high-performance ingebedde computing.

Met een bedrijfsspanning van de standaard DDR4-waarde van 1,2 V, biedt het een lagere stroomverbruik in vergelijking met DDR3, terwijl het de doorvoer en langetermijnbetrouwbaarheid verbetert voor kritieke toepassingen.

Belangrijkste Kenmerken

• 8 Gb (512M × 16) DDR4 SDRAM
• Tot 3200MT/s datatarief
• Werkend bij 1,2 V, standaard DDR4-spenning
• Hogere bandbreedte en lager stroomverbruik dan DDR3
• Sterke signaalinstantie en stabiele werking met lage latentie
• ECC-compatibel, afhankelijk van systeemimplementatie
• Compact FBGA-package (LY-serie) voor dichte PCB-layouts
• Geschikt voor servers, industriële computers, netwerken en ingebedde apparaten

Toepassingsvelden

• Datacenterservers en cloudcomputing
• Netwerkapparatuur (routers, switches, firewalls)
• Industriële besturingssystemen (PLC, HMI, IPC)
• AIoT edge computing-apparaten
• Medische elektronica en instrumentatie
• Hoogpresterende ingebedde systemen
• Opslagcontrollers, telecombasisstations, slimme bewakingssystemen

Belangrijke specificaties

Offerteaanvraag

Om prijzen aan te vragen voor MT40A512M16LY-062E:E—including beschikbaarheid, levertijd, MOQ, lotgegevens, datasheet of aanbevolen alternatieven—dient u een RFQ in.

Ondersteunt spotlevering, tekortsourcing, BOM-kitting en langlopende projectafhandeling.