MT40A512M16LY-062E:E | Micron 8Gb DDR4 SDRAM | 3200MT/s-es nagysebességű memória

Termék áttekintése

Az MT40A512M16LY-062E:E egy 8Gb (512M × 16) kapacitású DDR4 SDRAM a Microntól, amely akár 3200MT/s (DDR4-3200) sebességű működést is támogat. A Micron fejlett DDR4 technológiáján alapulva magas sávszélességet, javított energiahatékonyságot és stabil időzítési jellemzőket nyújt, így ideális választás adatközpontokhoz, hálózati hardverekhez, ipari rendszerekhez és nagy teljesítményű beágyazott számítógépekhez.

A szabványos DDR4 feszültségen, 1,2 V-on működik, így alacsonyabb fogyasztást kínál a DDR3-hoz képest, miközben növeli az átviteli sebességet és a hosszú távú megbízhatóságot küldetéskritikus alkalmazásokhoz.

Főbb jellemzők

• 8Gb (512M × 16) DDR4 SDRAM
• Akár 3200MT/s adatátviteli sebesség
• 1,2 V-on működik, szabványos DDR4 feszültség
• Magasabb sávszélesség és alacsonyabb fogyasztás, mint a DDR3
• Erős jelminőség és stabil, alacsony késleltetésű működés
• ECC-kompatibilis a rendszer megvalósításától függően
• Kompakt FBGA tok (LY sorozat) sűrűn elhelyezett nyomtatott áramkörökön
• Szerverekhez, ipari számítógépekhez, hálózati és beágyazott eszközökhöz alkalmas

Alkalmazási területek

• Adatközponti szerverek és felhőalapú számítástechnika
• Hálózati berendezések (router, switch, tűzfal)
• Ipari irányítórendszerek (PLC, HMI, IPC)
• AIoT periféria számítógépes eszközök
• Orvostechnikai elektronika és műszerek
• Nagy teljesítményű beágyazott rendszerek
• Tárolóvezérlők, távközlési bázisállomások, intelligens megfigyelőrendszerek

Fontos előírások

Ajánlatkérés

Az MT40A512M16LY-062E:E áráért, rendelkezésre állásáért, szállítási határidőért, MOQ-ért, tételadatokért, adatlapért vagy ajánlott alternatívákért kérjük, nyújtson be egy RFQ-t.

Támogatja a spot ellátást, hiányzó alkatrészek beszerzését, BOM készletösszeállítást és hosszú távú projektek teljesítését.