MT40A512M16LY-062E:E | Micron 8Gb DDR4 SDRAM | 3200MT/s Yüksek Hızlı Hafıza

Ürün Genel Bakış

MT40A512M16LY-062E:E, Micron'un yüksek hızlı işlemeye kadar 3200MT/s (DDR4-3200) destekleyen 8Gb (512M × 16) kapasiteli bir DDR4 SDRAM'idir. Micron'un gelişmiş DDR4 teknolojisiyle üretilmiş olan bu ürün, yüksek bant genişliği, gelişmiş güç verimliliği ve kararlı zamanlama özelliklerine sahiptir ve veri merkezleri, ağ donanımları, endüstriyel sistemler ve yüksek performanslı gömülü hesaplama sistemleri için uygundur.

Standart DDR4 voltajı olan 1,2V'ta çalışan bu ürün, DDR3'e kıyasla daha düşük güç tüketimi sunur ve görev kritik uygulamalar için verimlilik ile uzun süreli güvenilirliği artırır.

Temel Özellikler

• 8Gb (512M × 16) DDR4 SDRAM
• Maksimum 3200MT/s veri hızı
• 1,2V'ta çalışır, standart DDR4 voltajı
• DDR3'e göre daha yüksek bant genişliği ve daha düşük güç tüketimi
• Güçlü sinyal bütünlüğü ve kararlı düşük gecikmeli çalışma
• Sistem uygulamasına göre ECC uyumlu
• Yoğun PCB yerleşimleri için kompakt FBGA paketi (LY serisi)
• Sunucular, endüstriyel bilgisayarlar, ağ cihazları ve gömülü cihazlar için uygundur

Uygulama alanları

• Veri merkezi sunucuları ve bulut bilişimi
• Ağ ekipmanları (yönlendiriciler, anahtarlar, güvenlik duvarları)
• Endüstriyel kontrol sistemleri (PLC, HMI, IPC)
• AIoT kenar hesaplama cihazları
• Tıbbi elektronik ve ölçüm cihazları
• Yüksek performanslı gömülü sistemler
• Depolama denetleyicileri, telekom baz istasyonları, akıllı gözetim sistemleri

Ana Özellikler

Teklif Talebi

MT40A512M16LY-062E:E için fiyat talep etmek — mevcudiyet, teslim süresi, minimum sipariş miktarı, lot detayları, veri sayfası veya önerilen alternatifler dahil — lütfen bir RFQ gönderin.

Nokta tedarik, eksiklik temini, BOM kiti ve uzun vadeli proje yerine getirme işlemlerini destekler.