MT40A512M16LY-062E:E | Micron 8Gb DDR4 SDRAM | Memória de Alta Velocidade a 3200MT/s

Visão geral do produto

O MT40A512M16LY-062E:E é um SDRAM DDR4 de 8Gb (512M × 16) da Micron, que suporta operação de alta velocidade até 3200MT/s (DDR4-3200). Baseado na tecnologia avançada DDR4 da Micron, oferece alta largura de banda, maior eficiência energética e características estáveis de temporização, sendo adequado para datacenters, equipamentos de rede, sistemas industriais e computação embarcada de alto desempenho.

Operando na tensão padrão DDR4 de 1,2 V, apresenta menor consumo de energia em comparação com o DDR3, ao mesmo tempo que aumenta a taxa de transferência e a confiabilidade a longo prazo em aplicações críticas.

Principais Características

• 8 Gb (512M × 16) DDR4 SDRAM
• Taxa de dados de até 3200MT/s
• Opera a 1,2 V, tensão padrão DDR4
• Maior largura de banda e menor consumo de energia em comparação com o DDR3
• Integridade de sinal forte e operação estável com baixa latência
• Compatível com ECC dependendo da implementação do sistema
• Pacote FBGA compacto (série LY) para layouts densos de PCB
• Adequado para servidores, computadores industriais, redes e dispositivos embarcados

Campos de Aplicação

• Servidores de datacenter e computação em nuvem
• Equipamentos de rede (roteadores, switches, firewalls)
• Sistemas de controle industrial (CLP, HMI, IPC)
• Dispositivos de computação de borda AIoT
• Eletrônica médica e instrumentação
• Sistemas embarcados de alto desempenho
• Controladores de armazenamento, estações base de telecomunicações, sistemas inteligentes de vigilância

Especificações principais

Solicitação de Cotação

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