MT40A512M16LY-062E:E | Micron 8Gb DDR4 SDRAM | 3200MT/s High-Speed Memory

Arolwg Cyffredinol ar y Cynnyrch

Mae'r MT40A512M16LY-062E:E yn 8Gb (512M × 16) DDR4 SDRAM gan Micron, sy'n cefnogi gweithredu ar gyflymder uchel hyd at 3200MT/s (DDR4-3200). Ar sail technoleg DDR4 uwch gan Micron, mae'n darparu bandlled eang, effeithlonrwydd pŵer gwella ac nodweddion amseru sefydlog, gan ei wneud yn addas ar gyfer canolfannau data, offer rhwydweithio, systemau diwydol a chyfrifiad wedi'i fychwanegu â berfformiad uchel.

Gweithredir wrth y voltedd safonol DDR4 o 1.2V, mae'n cynnig defnydd llai o bŵer o gymharu â DDR3, tra bod yn gwella trawsnewid a hygrededd hir dymor ar gyfer rhaglenni allweddol.

Nodweddion Allweddol

• 8Gb (512M × 16) DDR4 SDRAM
• Hyd at gyfradd ddata 3200MT/s
• Gweithredu wrth 1.2V, voltedd DDR4 safonol
• Bandlled uwch a llai o bŵer na DDR3
• Cyflwr cryf a gweithredu sefydlog â latency isel
• Cydymaith ECC yn dibynnu ar weithreolfa system
• Pecyn FBGA compact (cyfres LY) ar gyfer trefniadau PCB dwys
• Addas ar gyfer gweinyddion, gyfrifiaduron diwydiannol, rhwydweithio a dyfeisiau mabnach

Maesau apwyntiad

• Gweinyddion datacenter a chyfrifiad y gronynnau
• Offer rhwydweithio (rheolyddion, newidiwyr, walod tân)
• Systemau rheoli diwydiannol (PLC, HMI, IPC)
• Dyfeisiau cyfrifo ymyl AIoT
• Electroneg meddygol a chyfresau mesur
• Systemau mabnach berfformiad uchel
• Rheolyddion storio, sefydliadau telecoms, systemau amgylchiedig smart

Fecsal Sefydlog

Cais am Ofyn Am Gwerth

I ofyn am brisio ar gyfer MT40A512M16LY-062E:E—gan gynnwys ar gael, amser arweiniad, MOQ, manylion lôc, ddogfen ddata, neu oruchwyliadau argymhelliedig—cyflwynwch gais am asesiad (RFQ).

Yn cefnogi cyflenwi man, ffynhonnell penodau ar eu llaw, paru BOM, a pharatoi prosiectau hir-dymor.