MT40A512M16LY-062E:E

SDRAM DDR4 با پهنای باند بالا برای سرورها، محاسبات صنعتی و پلتفرم‌های تعبیه‌شده

توضیحات محصول

خلاصه ی محصول

MT40A512M16LY-062E:E یک حافظه DDR4 SDRAM 8 گیگابیتی (512M × 16) از میکرون است که امکان عملیات با سرعت بالا تا 3200MT/s (DDR4-3200) را فراهم می‌کند. این محصول بر پایه فناوری پیشرفته DDR4 میکرون ساخته شده و پهنای باند بالا، بهره‌وری بهتر در مصرف انرژی و مشخصات زمان‌بندی پایدار ارائه می‌دهد و بنابراین برای مراکز داده، سخت‌افزار شبکه، سیستم‌های صنعتی و محاسبات تعبیه‌شده با عملکرد بالا مناسب است.

با کار در ولتاژ استاندارد DDR4 معادل 1.2 ولت، مصرف برق کمتری نسبت به DDR3 دارد و در عین حال انتقال داده و قابلیت اطمینان بلندمدت را برای کاربردهای حیاتی بهبود می‌بخشد.

ویژگی‌های کلیدی

8Gb (512M × 16) DDR4 SDRAM
تا 3200MT/s نرخ داده
عملیات در ولتاژ 1.2V، ولتاژ استاندارد DDR4
پهنای باند بالاتر و مصرف انرژی پایین‌تر نسبت به DDR3
یکپارچگی سیگنال قوی و عملکرد پایدار با تأخیر کم
سازگار با ECC بسته به پیاده‌سازی سیستم
بسته FBGA فشرده (سری LY) برای چیدمان‌های متراکم روی برد مدار چاپی (PCB)
مناسب برای سرورها، رایانه‌های صنعتی، تجهیزات شبکه و دستگاه‌های توکار

زمینه های درخواست

سرورهای مرکز داده و محاسبات ابری
تجهیزات شبکه (روترها، سوئیچ‌ها، دیوارهای آتش)
سیستم‌های کنترل صنعتی (PLC، HMI، IPC)
دستگاه‌های محاسبات لبه AIoT
الکترونیک پزشکی و تجهیزات اندازه‌گیری
سیستم‌های توکار با عملکرد بالا
کنترل‌کننده‌های ذخیره‌سازی، ایستگاه‌های پایه مخابراتی، سیستم‌های هوشمند نظارت تصویری

مشخصات کلیدی

مورد	مشخصات
نوع حافظه	DDR4 SDRAM
تراکم	8GB
سازمان	512M × 16
نرخ داده	3200MT/s
ولتاژ کار	1.2V
بسته	FBGA (LY)
تولیدکننده	میکرون
استاندارد	JEDEC DDR4
دسته بندی	درجه تجاری (کد E)

درخواست قیمت‌گذاری

برای درخواست قیمت‌گذاری MT40A512M16LY-062E:E — شامل موجودی، زمان تحویل، حداقل مقدار سفارش (MOQ)، جزئیات لات، دatasheet یا گزینه‌های پیشنهادی — لطفاً یک درخواست پیشنهاد قیمت (RFQ) ارسال کنید.

پشتیبانی از تامین نقطه‌ای، جستجوی کالاهای کمبودی، بسته‌بندی BOM و تکمیل پروژه‌های بلندمدت.