MT40A512M16LY-062E:E | Micron 8Gb DDR4 SDRAM | 3200MT/s High-Speed Memory

Ikhtisar Produk

MT40A512M16LY-062E:E adalah DDR4 SDRAM 8Gb (512M × 16) dari Micron, yang mendukung operasi kecepatan tinggi hingga 3200MT/s (DDR4-3200). Dibangun berdasarkan teknologi DDR4 canggih dari Micron, produk ini memberikan bandwidth tinggi, efisiensi daya yang lebih baik, serta karakteristik timing yang stabil, sehingga cocok untuk pusat data, perangkat jaringan, sistem industri, dan komputasi tertanam berkinerja tinggi.

Beroperasi pada tegangan standar DDR4 sebesar 1,2V, menawarkan konsumsi daya yang lebih rendah dibandingkan DDR3, sekaligus meningkatkan throughput dan keandalan jangka panjang untuk aplikasi kritis.

Fitur Utama

• sDRAM DDR4 8Gb (512M × 16)
• Kecepatan data hingga 3200MT/s
• Beroperasi pada 1,2V, tegangan DDR4 standar
• Bandwidth lebih tinggi dan konsumsi daya lebih rendah dibandingkan DDR3
• Integritas sinyal yang kuat dan operasi stabil dengan latensi rendah
• Kompatibel dengan ECC tergantung pada implementasi sistem
• Paket FBGA ringkas (seri LY) untuk tata letak PCB yang padat
• Cocok untuk server, komputer industri, jaringan, dan perangkat tertanam

Bidang Aplikasi

• Server pusat data dan komputasi awan
• Peralatan jaringan (router, switch, firewall)
• Sistem kontrol industri (PLC, HMI, IPC)
• Perangkat komputasi tepi AIoT
• Elektronik medis dan instrumen
• Sistem tertanam berkinerja tinggi
• Kontroler penyimpanan, stasiun pangkalan telekomunikasi, sistem pengawasan cerdas

Spesifikasi Utama

Permintaan penawaran harga

Untuk meminta harga MT40A512M16LY-062E:E—termasuk ketersediaan, waktu tunggu, MOQ, detail lot, datasheet, atau alternatif yang direkomendasikan—silakan ajukan RFQ.

Mendukung pasokan spot, pengadaan kekurangan, kitting BOM, dan pemenuhan proyek jangka panjang.