MT40A512M16LY-062E:E | Micron 8Gb DDR4 SDRAM | 3200MT/s Hochgeschwindigkeitsspeicher

PRODUKTOVERSICHT

Der MT40A512M16LY-062E:E ist ein 8-Gb-(512M × 16)-DDR4-SDRAM von Micron mit einer maximalen Übertragungsrate von bis zu 3200MT/s (DDR4-3200). Basierend auf der fortschrittlichen DDR4-Technologie von Micron bietet er hohe Bandbreite, verbesserte Energieeffizienz und stabile Timing-Eigenschaften, wodurch er sich für Rechenzentren, Netzwerkinfrastruktur, industrielle Systeme und leistungsstarke Embedded-Computing-Anwendungen eignet.

Mit einer Betriebsspannung von 1,2V gemäß dem Standard-DDR4-Niveau verbraucht er weniger Energie als DDR3 und erhöht gleichzeitig Durchsatz und Langzeitverlässlichkeit für sicherheitsrelevante Anwendungen.

Hauptmerkmale

• 8 Gb (512M × 16) DDR4 SDRAM
• Bis zu 3200MT/s Datenübertragungsrate
• Betrieb bei 1,2V, Standard-DDR4-Spannung
• Höhere Bandbreite und geringerer Stromverbrauch im Vergleich zu DDR3
• Starke Signalintegrität und stabiler Betrieb mit niedriger Latenz
• ECC-kompatibel je nach Systemimplementierung
• Kompaktes FBGA-Gehäuse (LY-Serie) für dichte Leiterplattenlayouts
• Geeignet für Server, Industrie-Computer, Netzwerktechnik und eingebettete Geräte

Anwendungsbereiche

• Rechenzentrums-Server und Cloud-Computing
• Netzwerkausrüstung (Router, Switches, Firewalls)
• Industrielle Steuerungssysteme (SPS, HMI, IPC)
• AIoT-Edge-Computing-Geräte
• Medizinelektronik und -instrumentierung
• Hochleistungs-Einbettungssysteme
• Speichercontroller, Telekommunikations-Basisstationen, intelligente Überwachungssysteme

Wichtige Spezifikationen

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