MT40A512M16LY-062E:E | Micron 8 Гб DDR4 SDRAM | Високошвидкісна пам'ять 3200 МТ/с

Огляд продукту

MT40A512M16LY-062E:E — це 8 Гб (512M × 16) DDR4 SDRAM від Micron, що підтримує високу швидкість роботи до 3200 МТ/с (DDR4-3200). На основі передових технологій DDR4 від Micron забезпечує високу пропускну здатність, покращену енергоефективність і стабільні часові характеристики, що робить її придатною для центрів обробки даних, мережевого обладнання, промислових систем і високопродуктивних вбудованих обчислювальних систем.

Працює при стандартній напрузі DDR4 1,2 В, забезпечуючи знижене енергоспоживання порівняно з DDR3, а також підвищену пропускну здатність і довготривалу надійність для критично важливих застосунків.

Основні особливості

• 8 Гб (512M × 16) DDR4 SDRAM
• Швидкість передачі даних до 3200 МТ/с
• Працює при напрузі 1,2 В, стандартна напруга DDR4
• Вища пропускна здатність і нижче енергоспоживання порівняно з DDR3
• Висока цілісність сигналу та стабільна робота з низькою затримкою
• Сумісний з ECC залежно від реалізації системи
• Компактний корпус FBGA (серія LY) для щільних компонувань друкованих плат
• Придатний для серверів, промислових комп'ютерів, мережевого та вбудованого обладнання

Сфери застосування

• Сервери дата-центрів та хмарні обчислення
• Мережеве обладнання (маршрутизатори, комутатори, брандмауери)
• Системи промислового керування (PLC, HMI, IPC)
• Пристрої крайового обчислення AIoT
• Медична електроніка та прилади
• Високопродуктивні вбудовані системи
• Контролери пам'яті, телекомунікаційні базові станції, інтелектуальні системи спостереження

Ключові характеристики

Запит на ціну

Щоб запросити ціни на MT40A512M16LY-062E:E — включаючи наявність, термін поставки, мінімальний обсяг замовлення, деталі партії, технічний опис або рекомендовані альтернативи — будь ласка, подайте запит пропозиції (RFQ).

Підтримує точкові поставки, пошук дефіцитних компонентів, комплектацію BOM та виконання довгострокових проектів.