MT40A512M16LY-062E:E | Micron 8Gb DDR4 SDRAM | Memoria de alta velocidad 3200MT/s

Descripción del producto

El MT40A512M16LY-062E:E es un DDR4 SDRAM de 8 Gb (512M × 16) de Micron, que admite operación de alta velocidad hasta 3200MT/s (DDR4-3200). Basado en la tecnología avanzada DDR4 de Micron, ofrece alta banda, mayor eficiencia energética y características de temporización estables, lo que lo hace adecuado para centros de datos, hardware de red, sistemas industriales y computación embebida de alto rendimiento.

Funcionando con el voltaje estándar DDR4 de 1,2 V, ofrece un consumo reducido en comparación con DDR3, al tiempo que mejora el rendimiento y la fiabilidad a largo plazo para aplicaciones críticas.

Las características clave

• 8Gb (512M × 16) DDR4 SDRAM
• Hasta 3200MT/s de velocidad de datos
• Opera a 1,2 V, voltaje estándar DDR4
• Mayor ancho de banda y menor consumo de energía que DDR3
• Integridad de señal fuerte y funcionamiento estable con baja latencia
• Compatible con ECC según la implementación del sistema
• Paquete FBGA compacto (serie LY) para disposiciones densas en PCB
• Adecuado para servidores, ordenadores industriales, redes y dispositivos embebidos

Campos de Aplicación

• Servidores de centros de datos y computación en la nube
• Equipos de red (routers, switches, firewalls)
• Sistemas de control industrial (PLC, HMI, IPC)
• Dispositivos de computación en el borde para AIoT
• Electrónica médica e instrumentación
• Sistemas embebidos de alto rendimiento
• Controladores de almacenamiento, estaciones base de telecomunicaciones, sistemas inteligentes de vigilancia

Especificaciones clave

Solicitud de cotización

Para solicitar precios del producto MT40A512M16LY-062E:E, incluyendo disponibilidad, tiempo de entrega, cantidad mínima de pedido, detalles del lote, hoja técnica o alternativas recomendadas, por favor envíe una solicitud de cotización (RFQ).

Soporta suministro puntual, búsqueda de escasez, kits de BOM y cumplimiento de proyectos a largo plazo.