MT40A512M16LY-062E:E | Micron 8Gb DDR4 SDRAM | Bộ nhớ tốc độ cao 3200MT/s

Tổng quan về Sản phẩm

MT40A512M16LY-062E:E là một chip DDR4 SDRAM 8Gb (512M × 16) của Micron, hỗ trợ hoạt động tốc độ cao lên đến 3200MT/s (DDR4-3200). Được xây dựng trên công nghệ DDR4 tiên tiến của Micron, sản phẩm mang lại băng thông cao, hiệu suất tiêu thụ điện năng tốt hơn và đặc tính thời gian ổn định, phù hợp cho trung tâm dữ liệu, thiết bị mạng, hệ thống công nghiệp và các ứng dụng điện toán nhúng hiệu suất cao.

Hoạt động ở điện áp chuẩn DDR4 là 1,2V, sản phẩm tiêu thụ điện năng thấp hơn so với DDR3, đồng thời cải thiện thông lượng và độ tin cậy lâu dài cho các ứng dụng quan trọng.

Tính năng nổi bật

• bộ nhớ SDRAM DDR4 8Gb (512M × 16)
• Tốc độ dữ liệu lên đến 3200MT/s
• Hoạt động ở điện áp 1,2V, điện áp chuẩn DDR4
• Băng thông cao hơn và tiêu thụ điện năng thấp hơn so với DDR3
• Tính toàn vẹn tín hiệu mạnh và hoạt động ổn định với độ trễ thấp
• Tương thích ECC tùy theo cách triển khai hệ thống
• Gói FBGA nhỏ gọn (dòng LY) cho bố trí PCB mật độ cao
• Phù hợp cho máy chủ, máy tính công nghiệp, thiết bị mạng và thiết bị nhúng

Các lĩnh vực ứng dụng

• Máy chủ trung tâm dữ liệu và điện toán đám mây
• Thiết bị mạng (bộ định tuyến, bộ chuyển mạch, tường lửa)
• Hệ thống điều khiển công nghiệp (PLC, HMI, IPC)
• Thiết bị điện toán biên AIoT
• Điện tử y tế và thiết bị đo lường
• Hệ thống nhúng hiệu suất cao
• Bộ điều khiển lưu trữ, trạm gốc viễn thông, hệ thống giám sát thông minh

Thông số kỹ thuật chính

Yêu cầu báo giá

Để yêu cầu báo giá cho MT40A512M16LY-062E:E — bao gồm tình trạng sẵn có, thời gian giao hàng, MOQ, chi tiết lô hàng, bảng dữ liệu hoặc các phương án thay thế được đề xuất — vui lòng gửi một RFQ.

Hỗ trợ cung ứng theo đơn lẻ, tìm nguồn hàng thiếu hụt, đóng gói BOM và thực hiện dự án dài hạn.