MT40A512M16LY-062E:E | Micron 8Gb DDR4 SDRAM | 3200MT/s vysoce rychlá paměť

Přehled produktu

MT40A512M16LY-062E:E je 8Gb (512M × 16) DDR4 SDRAM od společnosti Micron, která podporuje vysoce rychlý provoz až do 3200MT/s (DDR4-3200). Vyvinutá na základě pokročilé technologie DDR4 od Micronu, poskytuje vysokou šířku pásma, vylepšenou energetickou účinnost a stabilní časovací charakteristiky, což ji činí vhodnou pro datová centra, síťové zařízení, průmyslové systémy a vysokým výkonem náročné vestavěné počítače.

Provoz při standardním napětí DDR4 1,2 V umožňuje sníženou spotřebu energie ve srovnání s DDR3, zatímco zvyšuje propustnost a dlouhodobou spolehlivost pro kritické aplikace.

Klíčové vlastnosti

• 8Gb (512M × 16) DDR4 SDRAM
• Až 3200MT/s datová rychlost
• Provoz při 1,2 V, standardní napětí DDR4
• Vyšší šířka pásma a nižší spotřeba než u DDR3
• Silná integrita signálu a stabilní provoz s nízkou latencí
• Kompatibilní s ECC v závislosti na implementaci systému
• Kompaktní pouzdro FBGA (řada LY) pro hustá uspořádání na desce plošných spojů
• Vhodné pro servery, průmyslové počítače, síťová zařízení a vestavěné systémy

Oblasti použití

• Servery datových center a cloudové výpočetní techniky
• Síťové zařízení (směrovače, přepínače, firewally)
• Průmyslové řídicí systémy (PLC, HMI, IPC)
• AIoT zařízení pro edge computing
• Lékařská elektronika a měřicí přístroje
• Vysokým výkonem vybavené vestavěné systémy
• Řadiče úložišť, telekomunikační základnové stanice, chytré systémy dohledu

Klíčové specifikace

Žádost o cenovou nabídku

Chcete-li požádat o ceny pro MT40A512M16LY-062E:E – včetně dostupnosti, dodací doby, minimálního objednacího množství, údajů o šarži, technické dokumentace nebo doporučených náhrad – odešlete prosím RFQ.

Podporuje dodávky na místo, zajištění při nedostatku, sestavování BOM a plnění dlouhodobých projektů.