MT40A512M16LY-062E:E | Micron 8Gb DDR4 SDRAM | 3200MT\/s 高速メモリ

製品概要

MT40A512M16LY-062E:Eは、Micron製の8Gb（512M × 16）DDR4 SDRAMで、最大3200MT\/s（DDR4-3200）までの高速動作をサポートしています。 Micronの先進的なDDR4技術に基づいて開発されており、高帯域幅、優れた省電力性能、安定したタイミング特性を実現しています。データセンター、ネットワーク機器、産業用システム、高性能組み込みコンピューティングなどに適しています。

標準的なDDR4電圧である1.2Vで動作し、DDR3と比較して消費電力を削減しながら、スループットとミッションクリティカルなアプリケーションにおける長期的な信頼性を向上させます。

主な特徴

• 8Gb（512M × 16）DDR4 SDRAM
• 最大3200MT\/sのデータレート
• 1.2Vで動作、標準DDR4電圧
• DDR3よりも高い帯域幅と低い消費電力
• 優れた信号完全性と安定した低遅延動作
• システムの実装に応じてECC対応
• 高密度PCBレイアウト向けの小型FBGAパッケージ（LYシリーズ）
• サーバー、産業用コンピュータ、ネットワーキング、組み込みデバイスに適しています

応用分野

• データセンター サーバーおよびクラウドコンピューティング
• ネットワーク機器（ルーター、スイッチ、ファイアウォール）
• 産業用制御システム (PLC、HMI、IPC)
• AIoTエッジコンピューティングデバイス
• 医療用電子機器および計測器
• 高性能組み込みシステム
• ストレージコントローラー、通信基地局、スマート監視システム

主な仕様

見積依頼

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スポット供給、不足部品の調達、BOMキッティング、長期プロジェクトの履行をサポートします。