GDT

สินค้าทั้งหมด

• IC

  • ADI

  • TI

  • ST

  • ซัมซุง

  • ไมครอน

• องค์ประกอบแบบพาสซีฟ

  • ค่าความจุไฟฟ้า

    • MLCC
    • ตัวเก็บประจุไฟฟ้าอิเล็กโตรไลติก
    • ตัวเก็บประจุฟิล์ม
    • ตัวเก็บประจุ X2
    • ตัวเก็บประจุ Y
    • ฟิลเตอร์รวมตัวแปริสเตอร์และตัวเก็บประจุแบบบูรณาการ

  • ความต้านทาน

    • ตัวต้านทานแบบอัลลอย
    • วาไรส터แบบ SMD
    • เทอร์มิสเตอร์แบบ SMD

  • การเหนี่ยวนำ

    • อินดักเตอร์กำลังไฟฟ้าแบบโมลดิ้ง
    • ฟิลเตอร์ BDL

• ชิ้นส่วนเซมิคอนดักเตอร์กำลัง

  • IGBTs

  • ไดโอดเซนเนอร์

  • โมสเฟ็ททั้งหมด

  • สะพานเรคทิฟายเออร์

  • ไดโอดเรคทิฟายเออร์ทั่วไป

  • ไดโอดฟื้นตัวเร็ว

  • ไดโอดฟื้นตัวเร็วแบบอัลตร้า

  • ไดโอดชอตต์กี

  • ทรานซิสเตอร์กำลัง

  • ไดโอดส์สัญญาณเล็กสำหรับสวิตช์

  • ไดโอดชอตต์กีสัญญาณเล็ก

  • ทรานซิสเตอร์สัญญาณเล็ก

  • ทรานซิสเตอร์ดิจิทัลสัญญาณเล็ก

• อุปกรณ์ป้องกัน

  • ทีวีเอส

  • อีเอสดี

  • วาไรสเตอร์

  • MF72-NTC

  • พีพีทีซี

  • จีดีที

  • ตัวป้องกันอุณหภูมิ

• เซนเซอร์วัดอุณหภูมิ