K4AAG085WC-BCWE | pamięć Samsung DDR4 8Gb SDRAM | Wysoka wydajność, niski pobór mocy

Przegląd produktu

K4AAG085WC-BCWE to pamięć 8Gb DDR4 SDRAM firmy Samsung Semiconductor, zorganizowana jako 1G × 8. Obsługuje szybkość transmisji danych do 3200 Mbps na pin przy napięciu pracy tylko 1,2 V, zapewniając wyjątkową wydajność przy niskim zużyciu energii. Obudowa 96-pinowa FBGA gwarantuje stabilność sygnału i odporność termiczną, co czyni ją idealną dla serwerów, systemów sieciowych oraz przemysłowych platform wbudowanych wymagających długoterminowej niezawodności.

Kluczowe cechy

• Zgodny ze standardem JEDEC DDR4 SDRAM
• Obsługuje szybkość danych DDR4-3200 (3200 Mbps na pin)
• Działa przy niskim napięciu 1,2 V ± 0,06 V
• architektura 8-bankowa dla zoptymalizowanego dostępu do danych
• Zintegrowany DLL dla precyzyjnego czasowania i synchronizacji
• Obsługa automatycznego odświeżania, samoodświeżania i głębokiego stanu oszczędzania energii
• obudowa 96-pinowa FBGA dla lepszej integralności sygnału
• Szeroki zakres temperatur (-40 °C do +95 °C) dla zastosowań przemysłowych

Zastosowania

• Moduły pamięci dla serwerów i centrów danych
• Sprzęt sieciowy i routery
• Automatyka przemysłowa i systemy wbudowane
• Rozrywka pokładowa i jednostki sterujące AI w pojazdach samochodowych
• Elektronika użytkowa i urządzenia wyświetlające wysokiej klasy

Specyfikacje techniczne

Prośba o wycenę

Aby uzyskać aktualne dane dotyczące stanu magazynowego, cen i czasu dostawy produktu K4AAG085WC-BCWE, prosimy o podanie ilości (Qty), wymaganego czasu realizacji oraz docelowej ceny w formularzu RFQ. Nasz zespół niezwłocznie przedstawi najlepszą ofertę oraz wsparcie w zakresie kompletowania BOM-u, dostaw syngularnych i zarządzania zapasami.