K4AAG085WC-BCWE | Samsung DDR4 8Gb SDRAMメモリチップ | 高性能、低消費電力メモリ

製品概要

K4AAG085WC-BCWEは、Samsung Semiconductor製の8Gb DDR4 SDRAMで、1G × 8の構成です。ピンあたり最大3200 Mbpsのデータレートをサポートし、1.2Vという低電圧での動作により、優れた性能と低消費電力を実現しています。96ボールFBGAパッケージにより、信号の完全性と熱的安定性が確保されており、長期的な信頼性が求められるサーバー、ネットワークシステム、および産業用組み込みプラットフォームに最適です。

主な特徴

• JEDEC準拠DDR4 SDRAM標準
• DDR4-3200データレート（ピンあたり3200 Mbps）をサポート
• 低電圧1.2 V ± 0.06 Vで動作
• データアクセスを最適化する8バンクアーキテクチャ
• 正確なタイミングと同期のための内蔵DLL
• 自動リフレッシュ、セルフリフレッシュ、およびディープパワーダウン対応
• 信号完全性を高める96ボールFBGAパッケージ
• 産業用グレード使用のための広い温度範囲（-40°C から +95°C）

応用

• サーバーおよびデータセンター用メモリモジュール
• ネットワーキングおよびルーティング機器
• 産業用オートメーションおよび組み込みシステム
• 自動車用インフォテインメントおよびAI制御ユニット
• コンシューマエレクトロニクスおよびハイエンドディスプレイ装置

技術仕様

見積依頼

K4AAG085WC-BCWEのリアルタイム在庫、価格、納期については、RFQに数量（Qty）、必要なリードタイム、および目標価格を記載してください。弊社チームより最適な見積もりをご提示し、BOMキッティング、スポット供給、在庫管理に関するサポートを迅速に提供いたします。