K4AAG085WC-BCWE | Chip Memori Samsung DDR4 8Gb SDRAM | Memori Berkinerja Tinggi, Berdaya Rendah

K4AAG085WC- BCWE

Chip memori DDR4 8Gb kinerja tinggi yang dirancang untuk server, jaringan, dan aplikasi kontrol industri.

Deskripsi Produk

Ikhtisar Produk

K4AAG085WC-BCWE adalah DDR4 SDRAM 8Gb dari Samsung Semiconductor, disusun sebagai 1G × 8. Chip ini mendukung laju data hingga 3200 Mbps per pin dengan tegangan operasi hanya 1,2V, memberikan kinerja luar biasa dengan konsumsi daya rendah. Paket FBGA 96-bola menjamin integritas sinyal dan stabilitas termal yang kuat, menjadikannya ideal untuk server, sistem jaringan, serta platform tertanam industri yang membutuhkan keandalan jangka panjang.

Fitur Utama

Standar DDR4 SDRAM sesuai JEDEC
Mendukung laju data DDR4-3200 (3200 Mbps per pin)
Beroperasi pada tegangan rendah 1,2 V ± 0,06 V
arsitektur 8-bank untuk akses data yang dioptimalkan
DLL terintegrasi untuk pengaturan waktu dan sinkronisasi yang presisi
Dukungan auto-refresh, self-refresh, dan deep power-down
paket FBGA 96-bola untuk meningkatkan integritas sinyal
Rentang suhu lebar (-40 °C hingga +95 °C) untuk penggunaan kelas industri

Aplikasi

Modul memori server dan pusat data
Peralatan jaringan dan routing
Otomasi industri dan sistem tertanam
Unit kontrol hiburan dan AI otomotif
Elektronik konsumen dan perangkat tampilan kelas atas

Spesifikasi Teknis

Parameter	Nilai
Kepadatan	8 Gb (1G × 8)
Tingkat data	3200 Mbps
VDD	1,2 V ± 0,06 V
Paket	96-Ball FBGA
Dimensi	9 × 8 × 1,2 mm
Rentang suhu	-40 °C ~ +95 °C
Pengatur Waktu	CL = 22 @ 3200 Mbps
Fungsi	DLL, Refresh Otomatis/Diri Sendiri
Antarmuka	SSTL_12
Arsitektur	8 Bank

Permintaan penawaran harga

Untuk stok, harga, dan waktu pengiriman real-time K4AAG085WC-BCWE, silakan sertakan Quantity (Qty), Required Lead Time, dan Target Price Anda di RFQ. Tim kami akan segera menawarkan penawaran terbaik dan dukungan untuk BOM kiting, pasokan spot, dan manajemen persediaan.