K4AAG085WC-BCWE | Chip de memoria Samsung DDR4 8Gb SDRAM | Memoria de alto rendimiento y bajo consumo

Descripción del producto

K4AAG085WC-BCWE es un DDR4 SDRAM de 8 Gb de Samsung Semiconductor, organizado como 1G × 8. Soporta tasas de datos de hasta 3200 Mbps por contacto mientras opera a solo 1.2 V, ofreciendo un rendimiento excepcional con bajo consumo de energía. El encapsulado FBGA de 96 bolas garantiza una integridad de señal robusta y estabilidad térmica, lo que lo hace ideal para servidores, sistemas de red y plataformas embebidas industriales que requieren fiabilidad a largo plazo.

Las características clave

• Estándar DDR4 SDRAM conforme con JEDEC
• Soporta tasa de datos DDR4-3200 (3200 Mbps por contacto)
• Opera a baja tensión de 1,2 V ± 0,06 V
• arquitectura de 8 bancos para optimizar el acceso a los datos
• DLL integrado para temporización y sincronización precisa
• Soporte para autoactualización, autorefresco y modo de suspensión profundo
• encapsulado FBGA de 96 bolas para mejorar la integridad de la señal
• Amplio rango de temperatura (-40 °C a +95 °C) para uso industrial

Aplicaciones

• Módulos de memoria para servidores y centros de datos
• Equipos de redes y enrutamiento
• Sistemas embebidos y automatización industrial
• Unidades de control AI y sistemas de infoentretenimiento automotriz
• Dispositivos electrónicos de consumo y pantallas de gama alta

Especificaciones técnicas

Solicitud de cotización

Para obtener el stock en tiempo real, precios y plazos de entrega del K4AAG085WC-BCWE, incluya su Cantidad (Qty), Plazo de entrega requerido y Precio objetivo en la solicitud de cotización (RFQ). Nuestro equipo ofrecerá rápidamente la mejor cotización y soporte para la preparación de listas BOM, suministro puntual y gestión de inventario.