Высокопроизводительная 8 Гб DDR4-микросхема памяти, разработанная для серверов, сетевых и промышленных систем управления.
Обзор продукта
K4AAG085WC-BCWE — это 8 Гб DDR4 SDRAM от Samsung Semiconductor, организованная как 1 Г × 8. Поддерживает скорости передачи данных до 3200 Мбит/с на контакт при напряжении всего 1,2 В, обеспечивая исключительную производительность с низким энергопотреблением. Корпус 96-ball FBGA гарантирует надежную целостность сигнала и тепловую стабильность, что делает его идеальным решением для серверов, сетевых систем и промышленных встраиваемых платформ, требующих долгосрочной надёжности.
Ключевые особенности
Применения
Технические характеристики
| Параметры | Значение |
| Плотность | 8 Гбит (1Г × 8) |
| Скорость передачи данных | 3200 Мбит/с |
| VDD | 1,2 В ± 0,06 В |
| Упаковка | 96-выводный FBGA |
| Размер | 9 × 8 × 1,2 мм |
| Диапазон температур | -40 °C ~ +95 °C |
| Таймер | CL = 22 при 3200 Мбит/с |
| Функции | DLL, автоматическое/самообновление |
| Интерфейс | SSTL_12 |
| Архитектура | 8 банков |
Запрос котировки
Для получения актуальных данных о наличии на складе, ценах и сроках поставки K4AAG085WC-BCWE, пожалуйста, укажите в запросе количество (Qty), требуемый срок поставки и целевую цену. Наша команда оперативно предоставит лучшее коммерческое предложение, а также поддержку по комплектации BOM, разовому обеспечению и управлению запасами.