K4AAG085WC-BCWE | Chip de Memória Samsung DDR4 8Gb SDRAM | Alta Performance, Baixo Consumo de Energia

Visão geral do produto

O K4AAG085WC-BCWE é um DDR4 SDRAM de 8 Gb da Samsung Semiconductor, organizado como 1G × 8. Suporta taxas de dados de até 3200 Mbps por pino, operando com apenas 1,2 V, oferecendo desempenho excepcional com baixo consumo de energia. O invólucro FBGA de 96 esferas garante integridade robusta do sinal e estabilidade térmica, tornando-o ideal para servidores, sistemas de rede e plataformas industriais embutidas que exigem confiabilidade a longo prazo.

Principais Características

• Padrão DDR4 SDRAM compatível com JEDEC
• Suporta taxa de dados DDR4-3200 (3200 Mbps por pino)
• Opera em baixa tensão de 1,2 V ± 0,06 V
• arquitetura de 8 bancos para acesso otimizado aos dados
• DLL integrado para temporização precisa e sincronização
• Suporte a autoatualização, autorefresh e modo de desligamento profundo
• invólucro FBGA de 96 esferas para maior integridade do sinal
• Ampla faixa de temperatura (-40 °C a +95 °C) para uso industrial

Aplicações

• Módulos de memória para servidores e centros de dados
• Equipamentos de rede e roteamento
• Automação industrial e sistemas embarcados
• Unidades de infotainment automotivo e controle de IA
• Eletrônicos de consumo e dispositivos de exibição de alta performance

Especificações Técnicas

Solicitação de Cotação

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