K4AAG085WC-BCWE | Cynwysydd Cofrestr Samsung DDR4 8Gb SDRAM | Cofrestr Perfformiad Uchel, Isel-Bŵer

K4AAG085WC- BCWE

Chip cofrestr DDR4 8Gb perfformiad uchel wedi'i gynllunio ar gyfer gweinyddion, rhwydweithio, a rhaglenni rheoli diwydiant.

Disgrifiad y Cynnyrch

Arolwg Cyffredinol ar y Cynnyrch

Mae K4AAG085WC-BCWE yn 8Gb DDR4 SDRAM gan Samsung Semiconductor, wedi'i drefnu fel 1G × 8. Mae'n cefnogi cyfraddau data hyd at 3200 Mbps yr pin wrth weithredu ar 1.2V yn unig, gan ddarparu perfformiad eithriadol gyda chynsumption bŵer isel. Mae'r pecyn FBGA 96-bechen yn sicrhau cyflwr signal cadarn a sefydlogrwydd thermol, gan ei wneud yn addas i weinyddion, systemau rhwydweithio, a chynlluniau mewnosod diwydol sydd angen dibynadwyedd hir-dymor.

Nodweddion Allweddol

Safon DDR4 SDRAM sy'n cyd-fynd â JEDEC
Cefnogir cyfradd data DDR4-3200 (3200 Mbps yr pin)
Weithredu ar boltedd isel 1.2 V ± 0.06 V
architeuthur 8-banc ar gyfer mynediad data penodol
DLL integredig ar gyfer amseru a chydweddu union
Cefnogaeth auto-adfer, hun-adfer, a llawdrachmyg powdr dyfn
pecyn FBGA 96-bechen i wella cyflwr signal
Amrediad eang o dymheredd (-40 °C i +95 °C) ar gyfer defnydd gradd diwydol

Ceisiadau

Modiwlau cofnod y gweinydd a'r ganolfan ddata
Offer rhwydwaith a rhewid
Awtomateiddio diwydol ac ystemau mabnuo
Unedau gwybodaeth ac adnabod AI cerbydau
Electronig yswiriad a dyfeisiau sgrin uchel

Manylebau Technegol

Parametr	Gwerth
Dichgymeredd	8 Gb (1G × 8)
Swydd Bydata	3200 Mbps
VDD	1.2 V ± 0.06 V
Pac	96-Ball FBGA
Dimensiwn	9 × 8 × 1.2 mm
Ystod Temp	-40 °C ~ +95 °C
Amseru	CL = 22 @ 3200 Mbps
Ffwythiannau	DLL, Adfywiad Awto/Hunanol
Rhyngrwyd	SSTL_12
Adeiladu	8 Banc

Cais am Ofyn Am Gwerth

Am stoc, prisiau a thimeledd ar gyfer K4AAG085WC-BCWE mewn amser real, nodwch eich Nifer (Qty), Amser Arfaethol angenrheidiol, a Phris Darged yn y cais dyngiau. Bydd ein tîm yn cynnig y dyngiau gorau'n gyflym ynghyd â chefnogaeth ar gyfer pecyn BOM, cyflenwi man, a rheoli storfa.