K4AAG085WC-BCWE | Cip Memori Samsung DDR4 8Gb SDRAM | Prestasi Tinggi, Memori Berkuasa Rendah

K4AAG085WC- BCWE

Cip memori DDR4 8Gb prestasi tinggi direka untuk pelayan, rangkaian, dan aplikasi kawalan industri.

Penerangan Produk

Gambaran Produk

K4AAG085WC-BCWE adalah SDRAM DDR4 8Gb daripada Samsung Semiconductor, disusun sebagai 1G × 8. Ia menyokong kadar data sehingga 3200 Mbps setiap pin sambil beroperasi pada hanya 1.2V, memberikan prestasi luar biasa dengan penggunaan kuasa yang rendah. Pakej FBGA 96-bola memastikan integriti isyarat yang kukuh dan kestabilan haba, menjadikannya ideal untuk pelayan, sistem rangkaian, dan platform terbenam perindustrian yang memerlukan kebolehpercayaan jangka panjang.

Ciri-ciri Utama

Standard SDRAM DDR4 yang mematuhi JEDEC
Menyokong kadar data DDR4-3200 (3200 Mbps setiap pin)
Beroperasi pada voltan rendah 1.2 V ± 0.06 V
seni bina 8-bank untuk pengoptimuman capaian data
DLL bersepadu untuk masa dan penyegerakan yang tepat
Sokongan auto-refresh, self-refresh, dan penutupan kuasa dalam
pakej FBGA 96-bola untuk meningkatkan integriti isyarat
Julat suhu yang luas (-40 °C hingga +95 °C) untuk kegunaan peringkat industri

Aplikasi

Modul memori pelayan dan pusat data
Peralatan rangkaian dan penghalaan
Automasi industri dan sistem terbenam
Unit kawalan hiburan dan AI kenderaan
Elektronik pengguna dan peranti paparan berkualiti tinggi

Spesifikasi Teknikal

Parameter	Nilai
Ketumpatan	8 Gb (1G × 8)
Kadar data	3200 Mbps
VDD	1.2 V ± 0.06 V
Pakej	96-Ball FBGA
Dimensi	9 × 8 × 1.2 mm
Julat Suhu	-40 °C ~ +95 °C
Timing	CL = 22 @ 3200 Mbps
Fungsi	DLL, Auto/Penyegaran Sendiri
Antara Muka	SSTL_12
Seni bina	8 Bank

Permintaan Sebutharga

Untuk stok sebenar, harga, dan tempoh masa utama bagi K4AAG085WC-BCWE, sila sertakan Kuantiti (Qty), Tempoh Masa Diperlukan, dan Harga Sasaran dalam RFQ. Pasukan kami akan segera memberikan kutipan terbaik serta sokongan untuk penyusunan BOM, bekalan segera, dan pengurusan inventori.