K4AAG085WC-BCWE | Samsung DDR4 8Gb SDRAM pamäťový čip | Vysoký výkon, nízka spotreba energie

K4AAG085WC- BCWE

Vysokovýkonný 8Gb pamäťový čip DDR4 navrhnutý pre servery, sieťové a priemyselné riadiace aplikácie.

Popis produktu

Prehľad produktu

K4AAG085WC-BCWE je 8Gb DDR4 SDRAM od spoločnosti Samsung Semiconductor, usporiadaná ako 1G × 8. Podporuje dátové rýchlosti až 3200 Mbps na pin pri prevádzkovom napätí len 1,2 V, čo zaisťuje vynikajúci výkon pri nízkej spotrebe energie. Puzdro 96-vývodového FBGA zabezpečuje vysokú integritu signálu a tepelnú stabilitu, čo ho robí ideálnym pre servery, sieťové systémy a priemyselné embedded platformy vyžadujúce dlhodobú spoľahlivosť.

Kľúčové vlastnosti

DDR4 SDRAM štandard v súlade s JEDEC
Podporuje dátovú rýchlosť DDR4-3200 (3200 Mbps na pin)
Prevádzka pri nízkom napätí 1,2 V ± 0,06 V
8-banková architektúra pre optimalizovaný prístup k dátam
Integrovaný DLL pre presné časovanie a synchronizáciu
Podpora automatického obnovovania, samosníženia a hlbokého režimu zníženia spotreby
96-vývodové puzdro FBGA pre vylepšenú integritu signálu
Široký rozsah teplôt (-40 °C do +95 °C) pre priemyselné použitie

Aplikácie

Pamäťové moduly pre servery a dátové centrá
Sieťové a smerovacie zariadenia
Priemyselná automatizácia a embedded systémy
Automobilové infotainment a jednotky riadenia umelej inteligencie
Spotrebná elektronika a kvalitné zobrazovacie zariadenia

Technické špecifikácie

Parameter	Hodnota
Hustota	8 Gb (1G × 8)
Dátová rýchlosť	3200 Mbps
VDD	1,2 V ± 0,06 V
Balenie	96-pätkové FBGA
Rozmer	9 × 8 × 1,2 mm
Rozsah teplôt	-40 °C až +95 °C
Časové rozvrhnutie	CL = 22 pri 3200 Mbps
Funkcie	DLL, automatické/sebaurýchľovanie
Rozhranie	SSTL_12
Architektúra	8 banky

Požiadavka na Cenovú Ponuku

Pre aktuálny stav zásob, ceny a dodací termín K4AAG085WC-BCWE uveďte vo svojom dopyte množstvo (Qty), požadovaný dodací termín a cieľovú cenu. Náš tím vám rýchlo poskytne najlepšiu cenovú ponuku a podporu pri kompletácii BOM, dodávke zo skladu a riadení zásob.