K4AAG085WC-BCWE | Чіп пам'яті Samsung DDR4 8 Гб SDRAM | Високопродуктивна, енергоефективна пам'ять

Огляд продукту

K4AAG085WC-BCWE — це 8 Гб чіп DDR4 SDRAM від Samsung Semiconductor, організований як 1 Г × 8. Підтримує швидкість передачі даних до 3200 Мбіт/с на контакт при роботі з напругою всього 1,2 В, забезпечуючи виняткову продуктивність та низьке енергоспоживання. Корпус 96-ball FBGA гарантує надійну цілісність сигналу та термостабільність, що робить його ідеальним для серверів, мережевих систем та промислових вбудованих платформ, які потребують тривалої надійності.

Основні особливості

• Відповідність стандарту JEDEC DDR4 SDRAM
• Підтримка швидкості передачі даних DDR4-3200 (3200 Мбіт/с на контакт)
• Робота при низькій напрузі 1,2 В ± 0,06 В
• архітектура з 8 банками для оптимізованого доступу до даних
• Інтегрований DLL для точного керування часом і синхронізації
• Підтримка автоматичного оновлення, самоновлення та глибокого режиму економії енергії
• корпус 96-ball FBGA для покращеної цілісності сигналу
• Широкий діапазон температур (-40 °C до +95 °C) для промислового використання

Застосування

• Модулі пам'яті для серверів і центрів оброблення даних
• Мережеве та маршрутизуюче обладнання
• Промислова автоматизація та вбудовані системи
• Автомобільні інформаційно-розважальні системи та блоки керування на основі штучного інтелекту
• Побутова електроніка та преміальні пристрої відображення

Технічні специфікації

Запит на ціну

Для отримання актуальних даних про наявність на складі, ціни та терміни поставки K4AAG085WC-BCWE, будь ласка, вкажіть у запиті пропозиції Кількість (Qty), необхідний термін поставки та цільову ціну. Наша команда оперативно надасть найкращу пропозицію та підтримку щодо комплектації BOM, разових поставок і управління запасами.