K4AAG085WC-BCWE | شريحة ذاكرة سامسونج DDR4 8Gb SDRAM | أداء عالٍ، وذاكرة منخفضة الاستهلاك للطاقة

K4AAG085WC- BCWE

شريحة ذاكرة DDR4 بسعة 8 جيجابت عالية الأداء مصممة للخوادم، والشبكات، وتطبيقات التحكم الصناعي.

وصف المنتج

نظرة عامة على المنتج

K4AAG085WC-BCWE هي ذاكرة DDR4 SDRAM بسعة 8 جيجابت من شركة سامسونج سيميكونداكتور، منظمة كـ 1G × 8. تدعم معدلات نقل بيانات تصل إلى 3200 ميجابت في الثانية لكل دبوس، مع تشغيلها عند جهد منخفض يبلغ 1.2 فولت فقط، مما يوفر أداءً استثنائيًا باستهلاك منخفض للطاقة. ويضمن الغلاف FBGA ذو 96 دبوسًا سلامة إشارة قوية واستقرارًا حراريًا، ما يجعلها مثالية للخوادم وأنظمة الشبكات والمنصات الصناعية المضمنة التي تتطلب موثوقية طويلة الأمد.

الميزات الرئيسية

مطابق لمعيار JEDEC لذاكرة DDR4 SDRAM
يدعم معدل نقل بيانات DDR4-3200 (3200 ميجابت في الثانية لكل دبوس)
يعمل عند جهد منخفض 1.2 فولت ± 0.06 فولت
بنية تحتية ذات 8 بنوك لتحسين الوصول إلى البيانات
DLL مدمج لتحقيق توقيت وتناسق دقيقين
يدعم إعادة التنشيط التلقائي، وإعادة التنشيط الذاتي، ووضع الإيقاف العميق للطاقة
غلاف 96-ball FBGA لتعزيز سلامة الإشارة
مدى واسع من درجات الحرارة (-40 °م إلى +95 °م) للاستخدام الصناعي

التطبيقات

وحدات ذاكرة الخوادم ومراكز البيانات
معدات الشبكات والتوجيه
الأنظمة الصناعية المُدمَجة وأتمتة المصانع
وحدات ترفيه السيارات وأنظمة التحكم بالذكاء الاصطناعي
الأجهزة الإلكترونية الاستهلاكية وأجهزة العرض عالية المستوى

المواصفات الفنية

المعلمات	القيمة
الكثافة	8 جيجابت (1 جيجا × 8)
معدل البيانات	3200 ميجابت في الثانية
VDD	1.2 فولت ± 0.06 فولت
التعبئة	حزمة FBGA ذات 96 كرة
الأبعاد	9 × 8 × 1.2 مم
نطاق درجة الحرارة	-40 °م ~ +95 °م
توقيت	CL = 22 @ 3200 ميجابت في الثانية
الوظائف	DLL، تحديث تلقائي/ذاتي
واجهة	SSTL_12
العمارة	8 بنك

طلب عرض أسعار

للحصول على المخزون الفعلي والأسعار وأوقات التسليم لـ K4AAG085WC-BCWE، يُرجى تضمين الكمية (الكمية المطلوبة)، والوقت اللازم للتسليم، والسعر المستهدف في طلب الاقتباس (RFQ). سيقدم فريقنا على الفور أفضل عرض مع دعم لتجميع قائمة المواد (BOM)، والتوريد الفوري، وإدارة المخزون.