K4AAG085WC-BCWE | Samsung DDR4 8Gb SDRAM-Speicherchip | Hochleistungs-, stromsparender Speicher

PRODUKTOVERSICHT

K4AAG085WC-BCWE ist ein 8-Gb-DDR4-SDRAM von Samsung Semiconductor, organisiert als 1G × 8. Er unterstützt Datentransferraten von bis zu 3200 Mbps pro Pin bei einer Betriebsspannung von nur 1,2 V und bietet so hervorragende Leistung bei geringem Stromverbrauch. Das 96-polige FBGA-Gehäuse gewährleistet eine robuste Signalintegrität und thermische Stabilität und eignet sich daher ideal für Server, Netzwerksysteme und industrielle Embedded-Plattformen, die langfristige Zuverlässigkeit erfordern.

Hauptmerkmale

• JEDEC-konformer DDR4-SDRAM-Standard
• Unterstützt DDR4-3200-Datentransferrate (3200 Mbps pro Pin)
• Betrieb bei niedriger Spannung 1,2 V ± 0,06 V
• 8-Bank-Architektur für optimierten Datenzugriff
• Integrierte DLL für präzise Taktabstimmung und Synchronisation
• Unterstützung von Automatischer Aktualisierung, Selbstaktualisierung und Deep-Power-Down
• 96-poliges FBGA-Gehäuse für verbesserte Signalintegrität
• Großer Temperaturbereich (-40 °C bis +95 °C) für industrielle Anwendungen

Anwendungen

• Speichermodule für Server und Rechenzentren
• Netzwerk- und Router-Ausrüstung
• Industrielle Automatisierung und eingebettete Systeme
• Automotive-Infotainmentsysteme und KI-Steuereinheiten
• Consumer-Elektronik und High-End-Anzeigegeräte

Technische Spezifikationen

Angebotsanfrage

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