Hochschnelle, leistungsstarke GaN-Schalter + PA-Module, die GaN-on-SiC-Technologie für breitbandige Radar-, Kommunikations- und Testsysteme integrieren. Sie bieten eine Spitzenleistung von über 200 W und Schaltzeiten unter 50 ns.
PRODUKTOVERSICHT
JARON GaN-Schalter + Leistungsverstärker-Module kombinieren effiziente GaN-Verstärkung mit schnellem Festkörperschalten und bieten kompakte, robuste Lösungen für T/R-Module und hochfrequente Impulsanwendungen. Die Verwendung von GaN-on-SiC-Transistoren gewährleistet geringe Einfügedämpfung, hohe Durchbruchspannung und hervorragende Wärmeableitung.
Anwendungen
Modell |
Frequenzbereich (GHz) |
S21 (dB) |
Psat (dBm) |
PAE |
Idd（A） |
Leistungsgewinn (dB) |
Isolation (dBc) |
Vd (V) |
Arbeiten modus |
Verkapselung |
GXSP1001G |
7~13 |
36 |
35.4 |
40 |
0.3 |
23.2 |
- |
28 |
CW & Puls |
form & Gehäuse |
GXSP1002G |
8~12 |
32 |
38 |
40 |
0.65 |
24 |
27 |
28 |
Puls |
form & Gehäuse |
GXSP1003G |
14~18 |
31 |
35 |
33 |
0.37 |
22 |
- |
24 |
CW & Puls |
form & Gehäuse |
EN
