Швидкодіючі модулі перемикача GaN + підсилювача потужності, що інтегрують технологію GaN-on-SiC для широкосмугових радарів, систем зв'язку та тестового обладнання. Забезпечують пікову потужність понад 200 Вт і час перемикання менше 50 нс.
Огляд продукту
Модулі JARON з перемикачем GaN та підсилювачем поєднують високоефективне підсилення на базі GaN із швидкими твердотільними перемикачами, забезпечуючи компактні, міцні рішення для приймально-передавальних (T/R) модулів і високочастотних імпульсних застосувань. Використання транзисторів GaN-on-SiC забезпечує низькі втрати включення, високу напругу пробою та переважне розсіювання тепла.
Застосування
Модель |
Діапазон частот (ГГц) |
S21 (дБ) |
Psat (дБм) |
PAE |
Idd（A） |
Посилення (дБ) |
Ізоляція (дБц) |
Vd (В) |
Робочий режим |
Експлуатація |
GXSP1001G |
7~13 |
36 |
35.4 |
40 |
0.3 |
23.2 |
- |
28 |
CW&Імпульс |
матриця та корпус |
GXSP1002G |
8~12 |
32 |
38 |
40 |
0.65 |
24 |
27 |
28 |
Імпульс |
матриця та корпус |
GXSP1003G |
14~18 |
31 |
35 |
33 |
0.37 |
22 |
- |
24 |
CW&Імпульс |
матриця та корпус |
EN
