Modwyl Toglydd GaN + Cryfhawydd Pŵer | Cryfhawydd PA Integredig GaN-on-SiC Pŵer Uchel – JARON

Arolwg Cyffredinol ar y Cynnyrch

Mae modwiliau JARON Toglydd GaN + Cryfhawydd Pŵer yn cyfuno cryfhau GaN effeithiol uchel â thoglu solid-state cyflym, gan ddarparu datrysiadau compact a chryfus ar gyfer modwiliau T/R a rhaglenni pulse amledd uchel. Mae defnyddio tranzistorau GaN-on-SiC yn sicrhau colled mewnfudo isel, voltedd dorri uchel, a chyfrifad gweithredu gwell.

Ceisiadau

• Cyrtiau modwyl T/R radar
• Trosglwyddwr gymunedu microwaves
• Cryfhawydd pŵer pulse ar gyfer profi a offer mesur
• Systemau RF rhyfel electronig a diffyniad
• toglu PA ar gyfer yswiriadau di-wifr a 5G