Modul Suis GaN + Penguat Kuasa | Penguat PA Bersepadu GaN-pada-SiC Berkuasa Tinggi – JARON

Semua Kategori

GaN

Laman Utama >  Produk >  Produk TTF >  Cip Mikrogelombang >  GaN

Modul Penguat Kuasa + Geganti GaN

Modul Suis + PA GaN berkelajuan tinggi dan berkuasa tinggi yang mengintegrasikan teknologi GaN-on-SiC untuk sistem radar jalur lebar, komunikasi, dan ujian. Menawarkan kuasa puncak melebihi 200 W dan masa pensuisan pantas di bawah 50 ns.

Gambaran Produk

Modul JARON Suis GaN + Penguat Kuasa menggabungkan penguatan GaN berkecekapan tinggi dengan pensuisan pepejal pantas, menyediakan penyelesaian padat dan kukuh untuk modul T/R dan aplikasi denyutan frekuensi tinggi. Penggunaan transistor GaN-pada-SiC memastikan kehilangan sisipan rendah, voltan lompahan tinggi, dan peresapan haba yang unggul.

   

Aplikasi

  • Peringkat pemandu modul T/R radar
  • Pemancar komunikasi mikrogelombang
  • Penguat kuasa denyut untuk ujian dan instrumentasi
  • Sistem RF pertahanan dan peperangan elektronik
  • Pensuisan PA infrastruktur nirkabel dan 5G

   

Model

Julat Frekuensi (GHz)

S21 (dB)

Psat (dBm)

PAE

Idd(A)

Powergain (dB)

Pengasingan (dBc)

Vd (V)

Bekerja mod

Pengkapsulan

GXSP1001G

7~13

36

35.4

40

0.3

23.2

-

28

CW&Denyut

acuan&pakej

GXSP1002G

8~12

32

38

40

0.65

24

27

28

Denyutan

acuan&pakej

GXSP1003G

14~18

31

35

33

0.37

22

-

24

CW&Denyut

acuan&pakej

Dapatkan Sebut Harga Percuma

Wakil kami akan menghubungi anda tidak lama lagi.
Email
Mobil/WhatsApp
Nama
Nama Syarikat
Mesej
0/1000

PRODUK BERKAITAN