Módulos integrados de interruptor GaN de alta velocidad y alta potencia + PA, que incorporan tecnología GaN sobre SiC para radares de banda ancha, sistemas de comunicación y pruebas. Ofrecen una potencia pico superior a 200 W y un tiempo de conmutación rápido inferior a 50 ns.
Descripción del producto
Los módulos de interruptor GaN + amplificador de potencia JARON combinan una amplificación GaN de alta eficiencia con conmutación rápida de estado sólido, ofreciendo soluciones compactas y robustas para módulos T/R y aplicaciones de pulsos de alta frecuencia. El uso de transistores GaN-sobre-SiC garantiza baja pérdida de inserción, alto voltaje de ruptura y una disipación térmica superior.
Aplicaciones
Modelo |
Rango de frecuencia (GHz) |
S21 (dB) |
Psat (dBm) |
PAE |
Idd（A） |
Ganancia de potencia (dB) |
El aislamiento (dBc) |
Vd (V) |
Trabajo modo |
Encapsulación |
GXSP1001G |
7~13 |
36 |
35.4 |
40 |
0.3 |
23.2 |
- |
28 |
CW&Pulse |
troquel&carcasa |
GXSP1002G |
8~12 |
32 |
38 |
40 |
0.65 |
24 |
27 |
28 |
Pulso |
troquel&carcasa |
GXSP1003G |
14~18 |
31 |
35 |
33 |
0.37 |
22 |
- |
24 |
CW&Pulse |
troquel&carcasa |
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