広帯域レーダー、通信、およびテストシステム向けにGaN-on-SiC技術を統合した高速・高出力GaNスイッチ＋PAモジュール。200Wを超えるピーク出力と50ns未満の高速スイッチング時間を実現。
製品概要
JARON GaNスイッチ＋パワーアンプリファイアモジュールは、高効率なGaN増幅機能と高速ソリッドステートスイッチングを組み合わせており、T/Rモジュールや高周波パルス用途にコンパクトで堅牢なソリューションを提供します。GaN-on-SiCトランジスタを使用することで、低い挿入損失、高い耐圧、優れた放熱性能を実現しています。
応用
モデル |
周波数範囲 (GHz) |
S21 （dB） |
Psat (dBm) |
PAE |
Idd（A） |
パワーゲイン （dB） |
分離 (dBc) |
Vd (V) |
動作 モード |
封装 |
GXSP1001G |
7~13 |
36 |
35.4 |
40 |
0.3 |
23.2 |
- |
28 |
CW＆パルス |
ダイス＆パッケージ |
GXSP1002G |
8~12 |
32 |
38 |
40 |
0.65 |
24 |
27 |
28 |
パルス |
ダイス＆パッケージ |
GXSP1003G |
14~18 |
31 |
35 |
33 |
0.37 |
22 |
- |
24 |
CW＆パルス |
ダイス＆パッケージ |
EN
